12V1.5A方案设计 芯片：PNVIP免费

12V1.5A方案设计芯片：PN****1、输入:100-264V2、输出：12V1.5A3、效率：84%(5级能效80.2%，为便于生产故选84%）4、Vcc：14V（选择VCC开启阀值）5、工作频率：60K（PFM）这里讲下PFMPFM优点空载时处于降频模式也就降低了我们的开关损耗和导通损耗及IC负载低于一定的时候进入睡眠模式就是IC规格书中写到的静态电流稳态电流，就是说降低了IC的消耗，缺点是纹波动态响应没有PWM好6、Dmax：0.45占空比大于0.5会带来环路不稳定的缺陷所以大家都控制在0.5以内7、ΔB：（Bs-Br）*n=ΔB=（390-55）*0.6=0.2TBs：390mT/100℃Br：55mT各家参数不同安全值取0.3TmaxCCM连续模式，电流不为零，ΔB变小，n取60%ΔB取值个人习惯9、Vinmin、Vinmax计算：Vinmin=Vacmin*1.2=90*1.2=108VVinmax=Vac*1.414=374V10、磁芯选择：AP=【（Po/η+Po）*10000】/（2*ΔB*ƒ*J*Ku）=【（18/0.84+18）*10000】/（2*0.2*60*1000*400*0.2）=394285.7/1920000=0.205cm4ƒ=60*1000（Hz）J电流密度=400Ku绕组系数=0.2EF25AP=0.2376cm4AE=51.8mm2设计经验：1、Ae值小效率低温度高，磁芯面积小扇热差，罐装磁芯辐射好，长宽磁芯漏感小。2、Ae=Po*2本人更喜欢这个公式Ae=18*2*1.4=50.4mm2取：EF25：AE：51.8mm2当然以上2种都可以选择。12V1.5A方案设计芯片：PN****1、输入:100-264V2、输出：12V1.5A3、效率：84%(5级能效80.2%，为便于生产故选84%）4、Vcc：14V（选择VCC开启阀值）5、工作频率：60K（PFM）这里讲下PFMPFM优点空载时处于降频模式也就降低了我们的开关损耗和导通损耗及IC负载低于一定的时候进入睡眠模式就是IC规格书中写到的静态电流稳态电流，就是说降低了IC的消耗，缺点是纹波动态响应没有PWM好6、Dmax：0.45占空比大于0.5会带来环路不稳定的缺陷所以大家都控制在0.5以内7、ΔB：（Bs-Br）*n=ΔB=（390-55）*0.6=0.2TBs：390mT/100℃Br：55mT各家参数不同安全值取0.3TmaxCCM连续模式，电流不为零，ΔB变小，n取60%ΔB取值个人习惯9、Vinmin、Vinmax计算：Vinmin=Vacmin*1.2=90*1.2=108VVinmax=Vac*1.414=374V10、磁芯选择：AP=【（Po/η+Po）*10000】/（2*ΔB*ƒ*J*Ku）=【（18/0.84+18）*10000】/（2*0.2*60*1000*400*0.2）=394285.7/1920000=0.205cm4ƒ=60*1000（Hz）J电流密度=400Ku绕组系数=0.2EF25AP=0.2376cm4AE=51.8mm2设计经验：1、Ae值小效率低温度高，磁芯面积小扇热差，罐装磁芯辐射好，长宽磁芯漏感小。2、Ae=Po*2本人更喜欢这个公式Ae=18*2*1.4=50.4mm2取：EF25：AE：51.8mm2当然以上2种都可以选择。设计经验：1、Ae值小效率低温度高，磁芯面积小扇热差，罐装磁芯辐射好，长宽磁芯漏感小。2、Ae=Po*2本人更喜欢这个公式Ae=18*2*1.4=50.4mm2这个1。4那里来的12、Np计算：初级匝数：Np=VINmin*ton/ΔB/AENp=108*7.5/0.2/51.8=78.18T取整79T13、NS计算：次级匝数：NS=（Vo+Vd）*（1-Dmax)*NP/（VINmin*Dmax）=（18+0.6）*（1-0.45）*78/（108*0.45）=11.12T取整11T14、N计算：匝比计算：N=Np/Ns=79/11=7.18T15、Iav计算平均电流:Iav=Po/η/Vinmin=18/0.84/108=0.198A16、Ipk计算：峰值电流计算Ipk=Ipk1+Ipk2=Iav*2/Dmax=0.198*2/0.45=0.88A17、ΔI计算：电流变化率ΔI计算：CCMIp2=3Ip1DCMIp1=00.88/4=IP1=0.220.22*3=IP2=0.66ΔI=Ip2-Ip1=0.66-0.22=0.44A18、电流有效值CCM：Irms==0.88*0.512=.45A19、Lp计算：初级电感量计算：Lp=Vinmin*ton/ΔI=108*7.5/0.44=1.8mH我们实际使用的要比计算的小一些这里算一个经验值吧再乘以0.7=1.26mH20、验证是否饱和：ΔB=Lp*Ipk/Np/Ae=1.26*0.88/79/51.8=0.27T<0.3T21、Ipks计算：次级峰值电流：Ipks=Ipk*N=0.88*7.18=6.3A22、Irmss计算：次级有效值计算：CCMIrms=6.3*0.566=3.57A23、Dp计算初级线径计算：Dp=(Irms/π/J)开根号*2=(0.45/3.14/6)开根号*2=0.3mmJ电流密度取5-724、Ds计算：次级线径计算：Ds=（3.75/3.14/7）开根号*2=0.82mm绕不下的情况下降额70%=0.57J电流密度取6-8集肤深度：导线线径不超过集肤深度的2倍，若超过集肤深度，则需多股并绕。δ=66.1/√∫cm=66.1/244.94=0.269mm0.269*2=0.54多股线计算=0.7/根号股数=0.57/1.414=0.4mm*225、N...