引线键合应用范围:低成本、高可靠、高产量等特点使得它成为芯片互连的主要工艺方法,用于下列封装::1、陶瓷和塑料 BGA、单芯片或者多芯片 2、陶瓷和塑料(CerQuadsandPQFPs)3、芯片尺寸封装(CSPs)4、板上芯片(COB)硅片的磨削与研磨:硅片的磨削与研磨是利用研磨膏以及水等介质,在研磨轮的作用下进行的一种减薄工艺,在这种工艺中硅片的减薄是一种物理的过程。硅片的应力消除:为了堆叠裸片,芯片的最终厚度必须要减少到了 30um 甚至以下。用于 3D 互连的铜制层需要进行无金属污染的自由接触处理。应力消除加工方法,主要有以下 4 种。世单♦K:i叶叫就 MtAAJtIM 干硅片的抛光与等离子体腐蚀:研磨减薄工艺中,硅片的表面会在应力作用下产生细微的破坏,这些不完全平整的地方会大大降低硅片的机械强度,故在进行减薄以后一般需要提高硅片的抗折强度,降低外力对硅片的破坏作用。在这个过程中,一般会用到干式抛光或者等离子腐蚀。干式抛光是指不使用水和研磨膏等介质,只使用干式抛光磨轮进行干式抛光的去除应力加工工艺。等离子腐蚀方法是指使用氟类气体的等离子对工件进行腐蚀加工的去除应力加工工艺。TAIKO 工艺:在实际的工程应用中,TAIKO 工艺也是用于增加硅片研磨后抗应力作用机械强度的一种方法。在此工艺中对晶片进行研削时,将保留晶片外围的边缘部分(约 3mm 左右),只对圆内进行研削薄型化,通过导入这项技术,可实现降低薄型晶片的搬运风险和减少翘曲的作用,如图所示。激光开槽加工:在高速电子元器件上逐步被采用的低介电常数(Low-k)膜及铜质材料,由于难以使用普通的金刚石磨轮刀片进行切割加工,所以有时无法达到电子元件厂家所要求的加工标准。为此,迪思科公司的工程师开发了可解决这种问题的加工应用技术。减少应力对硅片的破坏作用先在切割道内切开 2 条细槽(开槽),然后再使用磨轮刀片在 2 条细槽的中间区域实施全切割加工。通过采用该项加工工艺,能够提高生产效率,减少甚至解决因崩裂、分层(薄膜剥离)等不良因素造成的加工质量问题。DFL7160 将短脉冲激光聚焦到晶片表面后进行照射。激光脉冲被 Low-k 膜连续吸收,当吸收到一定程度的热能后,Low-k 膜会瞬间汽化。由于相互作用的原理,被汽化的物质会消耗掉晶片的热能,所以可以进行热影响极少的加工。GaAs 化合物半导体的薄型晶片切割:GaAs 晶片因为材料比较脆,在切割时容易发生破裂或缺损,所以难以提高通常磨轮刀片切割的进给速度。如果利用...