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碎片内容
二极管折线模型为了较真实地描述二极管 V-I 特性，二极管折线模型是在恒压降模型的基础上，作一定的修正，即认为二极管的管压降不是恒定的，而是随着通过二极管电流的增加而增加
所以，在模型中用一个电池和一个电阻 rD 来作进一步的近似
二极管折线模型如图(a)所示
这个电池的电压选定为二极管的门坎电压 Vth，约为 0
5V（硅管）
至于 rD 的值，可以这样来确定，即当二极管的导通电流为 1mA 时，管压降为 0
7V，于是 rD 的值可计算如下：由于二极管特性的分散性，Vth 和 rD 的值不是固定不变的
二极管的折线模型
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