主电路电气原理图主控制板电器原理图：逆变触发电路图：脉冲及时序板原理图：本机采纳三相沟通 380V 电压经三相桥式整流、滤波后供给以新型 IGBT 为功率开关器件的逆变器进行变频（20KC）处理后，由中频变压器降压，再经整流输出可供焊接所需的电源，通过集成电路构成的逻辑控制电路对电压、电流信号的反馈进行处理，实现整机闭环控制，采纳脉宽调制 PWM 为核心的控制技术，从而获得快速脉宽调制的恒流特性和优异的焊接工艺效果。 IGBT 逆变电焊机工作原理及输出特性 这里介绍的逆变器（见图）主要由 MOS 场效应管，普通电源变压器构成。其输出功率取决于 MOS 场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，适合电子爱好者业余制作中采纳。下面介绍该逆变器的工作原理及制作过程。--拓普电子 1.电路图 2.工作原理这里我们将详细介绍这个逆变器的工作原理。 方波信号发生器（见图 3） 图 3 这里采纳六反相器 CD4069 构成方波信号发生器。电路中 R1 是补偿电阻，用于改善由于电源电压的变化而引起的振荡频率不稳。电路的振荡是通过电容 C1 充放电完成的。其振荡频率为 f=1/2.2RC。图示电路的最大频率为：fmax=1/2.2×3.3×103×2.2×10-6=62.6Hz;最小频率fmin=1/2.2×4.3×103×2.2×10-6=48.0Hz。由于元件的误差，实际值会略有差异。其它多余的反相器，输入端接地避开影响其它电路。 场效应管驱动电路。 图 4 由于方波信号发生器输出的振荡信号电压最大振幅为 0~5V，为充分驱动电源开关电路，这里用 TR1、TR2 将振荡信号电压放大至 0~12V。如图 4 所示。MOS 场效应管电源开关电路。 这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下 MOS 场效应管的工作原理。图 5 MOS 场效应管也被称为 MOS FET， 既 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的为增强型 MOS 场效应管，其内部结构见图 5。它可分为 NPN 型 PNP 型。NPN 型通常称为 N 沟道型，PNP 型也叫 P 沟道型。由图可看出，对于 N 沟道的场效应管其源极和漏极接在 N 型半导体上，同样对于 P 沟道的场效应管其源极和漏极则接在P 型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流微小或没有输入电流，这使得该器件...
