准备-—N 型 FZSi,电阻率约为 2.5Ωcm。制作前进行了双面抛光,并在0.55％的 HF 酸溶液中浸泡，去除金属颗粒等杂质B 掺杂-—背面（BS）外延 B 掺杂，形成 P+，制作发射极掩模 1——PECVD 沉积氮化硅，厚度约 200nm，作为后道工艺的掩模酸洗 1-—利用去除未经曝光的光刻胶,漏出需要做 BSF 的区域，并且用BHF（buffered hydrofluoric）去除需要做 BSF 区域的氮化硅刻蚀 1——利用 HF 和 HNO3去除 BSF 区域的 Emitter.利用 Si 的各向异性和氮化硅的各项同性差异可以在相同时间内做到 Si 和氮化硅的差异性刻蚀 ,Si 被 腐 蚀 的 速 度 大 于 氮 化 硅 , 从 而 做 出 氮 化 硅 悬 臂P 掺杂—-制作 BSF，形成 N+。然后利用 BHF 溶液去除旧的氮化硅层（P掺杂时被污染），在重新 PECVD 沉积氮化硅层前表面(FS）制绒（Texture）——在 TMAH（四甲基氢氧化铵)和 IPA(异丙胺）水溶液中利用 110 面的特性刻蚀出金字塔结构.氮化硅悬臂，有助于BSF 和 emitter 的隔离0.5μmFSF 和退火——再此去除背面氮化硅层,并在 FS 进行 P 扩散，制作 FSF.然后在 850℃和氧气氛围中进行退火，以激活 FS 和 BS 注入的离子。此时，在 FS 和 BS 形成了 10—35nm 厚的 SiO2层，作为 ARC 的第一层。第二层 ARC—-根据 SiO2的厚度，在 FS 沉积 70—45nm 厚的氮化硅层，形成双层 ARC,并且起到 FS 的钝化作用（中和悬挂氢键）。同时在 BS 沉积 100nm 厚氮化硅层，以增强背面内反射，同时达到背钝化的目的。·背接触电极—-在整个 BS 热蒸发工艺沉积约 2μm 厚 Al。分离制作电极—-利用特定工艺去除除 BSF 接触区和 Emitter 区的 Al 层，形成交叉指状正负电极.
