其实初学者对于二极管击穿的问题，有时候会有一个误区,我就有过这样的情况。尤其当我们看到二极管击穿电压可达到 1000V 甚至可能更高的时候，有些人可能会产生这样一个疑问：我们了解到硅二极管的正向导通压降约为 0。6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2～0.3V，而为什么,其击穿电压可以达到 1000V 呢？对于这个问题我们先了解一下二极管的一些特性1、二极管的正向性外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服 PN 结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零，这一段称为死区.这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN 结内电场被克服，二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，电流迅速增长，二极管正向导通.叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为 0。5V，锗管约为 0.1V.硅二极管的正向导通压降约为 0。6～0.8V,锗二极管的正向导通压降约为 0。2~0。3V。2、二极管的反向性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态.这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反响饱和电流在 nA 数量级,小功率锗管在 μA 数量级。温度升高时,半导体受热激发，少数载流子数目增加,反向饱和电流也随之增加.击穿外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大,这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。假如二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避开二极管外加的反向电压过高。二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子二极管因为灯丝的热损耗,效率比晶体二极管低，所以现已很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管.二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛.二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降 0。7V，锗管正向管压降为 0.3V,发光二极管正向管压...
