(完整word版)光耦参数解释及设计注意事项VIP免费

一：光耦参数解释1、正向工作电压fV（forwardvoltage）：fV是指在给定的工作电流下，LED本身的压降。常见的小功率LED通常以fI=10mA来测试正向工作电压，当然不同的LED，测试条件和测试结果也会不一样。2、正向电流fI：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。3、反向工作电压rV（reversevoltage）：是指原边发光二极管所能承受的最大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏LED。而一般光耦中，这个参数只有5V左右，在存在反压或振荡的条件下使用时，要特别注意不要超过反向电压。如，在使用交流脉冲驱动LED时，需要增加保护电路。4、反向电流rI：在被测管两端加规定反向工作电压rV时，二极管中流过的电流。5、反向击穿电压brV：：被测管通过的反向电流rI为规定值时，在两极间所产生的电压降。6、结电容jC：在规定偏压下，被测管两端的电容值。7、电流传输比CTR(currenttransferratio)：指在直流工作条件下，光耦的输出电流与输入电流之间的比值。光耦的CTR类似于三极管的电流放大倍数，是光耦的一个极为重要的参数，它取决于光耦的输入电流和输出电流值及电耦的电源电压值，这几个参数共同决定了光耦工作在放大状态还是开关状态，其计算方法与三极管工作状态计算方法类似。若输入电流、输出电流、电流传输比设计搭配不合理，可能导致电路不能工作在预想的工作状态。8、集电极电流cI（collectorcurrent）：如上图，光敏三极管集电极所流过的电流，通常表示其最大值。9、输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。10、反向击穿电压ceo）（BRV：发光二极管开路，集电极电流cI为规定值，集电极与发射集间的电压降。11、反向截止电流ceoI：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。12、C-E饱和电压ceV（C-Esaturationvoltage）：光敏三极管的集电极-发射极饱和压降。13、入出间隔离电容ioC：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。14、入出间隔离电阻ioR：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。15、入出间隔离电压ioV：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值16、传输延迟时间PHLT、PLHT：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流FPI的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时间为传输延迟时间PHLT。从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1.5V时所需时间为传输延迟时间PLHT。17、上升时间Tr(RiseTime)&下降时间fT(FallTime)，其定义与典型测试方法如下图所示，它们反映了工作在开关状态的光耦，其开关速度情况。二：使用光耦隔离需要考虑以下几个问题①光耦直接用于隔离传输模拟量时，要考虑光耦的非线性问题；②光耦隔离传输数字量时，要考虑光耦的响应速度问题；③如果输出有功率要求的话，还得考虑光耦的功率接口设计问题。1光电耦合器非线性的克服光电耦合器的输入端是发光二极管，因此，它的输入特性可用发光二极管的伏安特性来表示，如图1b所示；输出端是光敏三极管，因此光敏三极管的伏安特性就是它的输出特性，如图1c所示。由图可见，光电耦合器存在着非线性工作区域，直接用来传输模拟量时精度较差。图1光电耦合器结构及输入、输出特性解决方法之一，利用2个具有相同非线性传输特性的光电耦合器，T1和T2，以及2个射极跟随器A1和A2组成，如图2所示。如果T1和T2是同型号同批次的光电耦合器，可以认为他们的非线性传输特性是完全一致的，即K1(I1)=K2(I1)，则放大器的电压增益G=Uo/U1=I3R3/I2R2=(R3/R2)[K1(I1)/K2(I1)]=R3/R2。由此可见，利用T1和T2电流传输特性的对称性，利用反馈原理，可以很好的补偿他们原来的非线性。图2光电耦合线性电路另一种模拟量传输的解决方法，就是采用VFC(电压频率转换)方式，如图3所示。现场变送器输出模拟量信号(假设电压信号)，电压频率转换器将变送器送来的电压信号转换成脉冲序列，通过光耦隔离后送出。在主机侧，通过一个频率电压转换电路将脉冲序列还原成模拟信号。此时，相当于光耦...