集成电路反向设计实验实验目的:掌握集成电路解剖的原理和方法;掌握集成电路反向分析的方法;了解集成电路反向设计的基本步骤
实验原理:反向设计是通过对芯片内部电路的提取与分析、整理,实现对芯片技术原理、设计思路、工艺制造、结构机制等方面的深入洞悉,可用来验证设计框架或者分析信息流在技术上的问题,也可以助力新的芯片设计或者产品设计方案
1.反向设计流程反向设计的流程如下:(1)提取横向尺寸①打开封装,进行照相(把电路产品放大数百倍分块照相,提取集成电路的复合版图);打开外壳:用浓硫酸等方法打开塑料封装,露出管芯;芯片拍照:用光学显微镜进行排照,得到管芯外观图;去掉钝化层,拍照,得到金属连线图;去掉金属层和绝缘介质层,拍照,得到下层金属或多晶硅版图;若为多层布线,重复上一步骤,得到各层版图;去掉所有外部各层,露出硅表面,染色区分p和n区,拍照
②拼图(把照片拼成整个产品的复合版图);③由产品的复合版图提取电路图、器件尺寸和设计规则;④进行电路模拟,验证所提取的电路是否正确;⑤如果模拟正确,可以着手画版图
(2)提取纵向尺寸用扫描电镜,扩展电阻仪等提取氧化层厚度、金属膜厚度、多晶硅厚度、结深、基区宽度等纵向尺寸和纵向杂质分布
(3)测试产品的电学参数电学参数包括阈值电压,又称开启电压(VT)、薄膜电阻,又称方块电阻(R□)、电流放大倍数(β)、特征频率(fT)等
然后,在(2)和(3)的基础上确定工艺参数,制订工艺条件和工艺流程
已出现与计算机联网的显微镜,无需照相可直接进行版图分析
从版图中提取出电路图,进行仿真及功能分析、结构修改后,又转入正向设计
自顶向下由底向上正向设计行为设计结构设计系统划分、分解单元设计逻辑设计电路设计版图设计功能块设计子系统设计系统总成反向设计版图解析电路图提取功能分析结构修改逻辑设计电路设计版图设计版图解析电路图提取功能分析单元设