PL测试设备VIP免费

由澳大利亚BTimaging提供的，融合UNSW等多个名校的技术，全球最领先的PL设备。基于销售领先的LIS-R1进行功能全面提升。www.btimaging.com最新版LIS-R2设备介绍BTImagingPtyLtd-ConfidentialInformation-NotForDistribution1LIS-R2功能总览多种测试功能-光致发光图（PL）-电致发光图（EL）-硅片少子寿命图（QSSPC）-IV曲线-串联电阻图（Rs）-电池饱和电流图（J0）-电池电流，电压输出图（Jmpp,Vmpp,Voc）-电池效率图-多晶，单晶硅片缺陷详细分析-电池表体分离功能可测试各种样品-硅锭-硅片-电池半成品（如扩散后的电池）-电池成品-小组件新！新！新！新！BTImagingPtyLtd-ConfidentialInformation-NotForDistribution2新！已经拥有我们产品的有Hanwha,LDK,Trina,Sanyo,Yingli,JAsolar,Q-cells,Sun-tech,Zhonghuan.UNSW,SERIS,FraunhoferCSP,Rena,Appliedmaterials,RothandRau等等。共超过50个厂家或研究院。世界各大公司和研究所认可的品牌BTImagingPtyLtd-ConfidentialInformation-NotForDistribution3仪器预览样品测试区工作台主控制器及电路BTImagingPtyLtd-ConfidentialInformation-NotForDistribution4一片多晶硅电池的开路PL图，缺陷一目了然。更有强大的分析软件帮助您详细分析问题，有助找到问题原因及出处。BTImagingPtyLtd-ConfidentialInformation-NotForDistribution5BTImagingPtyLtd-ConfidentialInformation-NotForDistribution6两片多晶硅片的PL图，缺陷一目了然。后面会介绍硅片的分析软件帮助您详细分析问题，有助找到问题原因及出处。黑色部分为勺子寿命较低的地方。做成电池后，通常这些区域的Voc可测硅锭BTImagingPtyLtd-ConfidentialInformation-NotForDistribution7BTImagingPtyLtd-ConfidentialInformation-NotForDistribution8因为硅锭会超出我们设备的视野，所以我们要分两次测量，每次测一半。然后我们自动将硅锭粘合。这些图是半个硅锭的PL图。BTImagingPtyLtd-ConfidentialInformation-NotForDistribution9粘合之后粘合之前3s的测试时间，165um的分辨尺寸1800s的测试时间，500um的分辨尺寸新一代产品提供更清晰的图像，更短的测试时间BTImagingPtyLtd-ConfidentialInformation-NotForDistribution10硅片的高清图像使用高倍镜得到更清晰的图像BTImagingPtyLtd-ConfidentialInformation-NotForDistribution11每个像素23um电池的高清图像使用高倍镜得到更清晰的图像BTImagingPtyLtd-ConfidentialInformation-NotForDistribution12每个像素23um跟踪工艺流程，找到问题出处硅片PL测验电池PL测验制成电池AB从图中可得，问题A来自电池工艺，问题B来自硅片BTImagingPtyLtd-ConfidentialInformation-NotForDistribution13可在任意一步进行测验，跟踪工艺流程，找到问题所在。开路PL图像对电池无接触。所有测量对电池均无损害。表面去损后制绒前扩散后制成电池后跟踪工艺流程，找到问题出处•这次工艺过程中，硅片底部的黑边影响到了电池的质量BTImagingPtyLtd-ConfidentialInformation-NotForDistribution14硅片电池可在任意一步进行测验，跟踪工艺流程，找到问题所在。开路PL图像对电池无接触。所有测量对电池均无损害。跟踪工艺流程，找到问题出处•这次工艺过程中，硅片底部的黑边因为良好的gettering工艺的弥补,没有影响电池的质量黑边黑边被去除BTImagingPtyLtd-ConfidentialInformation-NotForDistribution15Shunt：漏电的检测SeriousShunting严重漏电Shunting漏电BTImagingPtyLtd-ConfidentialInformation-NotForDistribution16少子寿命定量值检测使用内置的QSSPC技术，可以得到少子寿命定量值内置的sinton仪器配合PL测出少子寿命图BTImagingPtyLtd-ConfidentialInformation-NotForDistribution17除了找到复合缺陷，还可以找到隐裂多晶单晶BTImagingPtyLtd-ConfidentialInformation-NotForDistribution18用R2进行全程监控每步完成后都值得用R2去检查，看看问题出在哪，从硅片原材料开始到制成电池，都可以检查扩散后印刷烧结后制绒后PECVD（钝化后）由此图可见，此电池在扩散吸杂后少子寿命提升，钝化后又有很大的提升，不过底部的问题还是没有得到解决BT...