第二章TFT显示器的制造工艺流程和工艺环境要求第一节阵列段流程一、主要工艺流程和工艺制程（一）工艺流程（二）工艺制程1、成膜：PVD、CVD2、光刻：涂胶、图形曝光、显影3、刻蚀：湿刻、干刻4、脱膜二、辅助工艺制程1、清洗2、打标及边缘曝光3、AOI4、Mic、Mac观测5、成膜性能检测（RSmeter、Profile、RE/SE/FTIR）6、O/S电测7、TEG电测8、阵列电测9、激光修补三、返工工艺流程PR返工Film返工四、阵列段完整工艺流程五、设备维护及工艺状态监控工艺流程DummyGlass的用途DummyGlass的流程第二节制盒段流程取向及PI返工流程制盒及SpacerSpray返工流程切割、电测、磨边贴偏光片及脱泡、返工第三节模块段流程激光切线、电测COG邦定、FPC邦定、电测装配、电测加电老化包装出货TFT显示器的生产可以分成四个工序段：CF、TFT、Cell、Module。其相互关系见下图：阵列段是从投入白玻璃基板，到基板上电气电路制作完成。具体见下图：CFArray(TFT)CellModule成膜[膜[Glass基[PR塗布曝光[Mask現像刻蚀剥離[TFT基重复[Glass基CF工序是从投入白玻璃基板，到黑矩阵、三基色及ITO制作完成。具体见下图：Cell工序是从将TFT基板和CF基板作定向处理后对贴成盒，到切割成单粒后贴上片光片。具体见下图：Module工序是从LCD屏开始到驱动电路制作完成，形成一个显示模块。具体示意图如下：[LCD液晶滴下真空贴合切割［CF］［TFT基在以下的各节中，我们将逐一介绍TFT、Cell、Module的工艺制程。由于天马公司现在没有规划CF工厂，所以CF的工艺流程在此不作详细介绍。[信号基板］[驱动IC][ＬＣＤ[BLU］[LCDModule][连接电路][保护板]検査装配绑定第一节阵列段流程一、主要工艺流程和工艺制程（一）工艺流程上海天马采用背沟道刻蚀型（BCE）TFT显示象素的结构。具体结构见下图：对背沟道刻蚀型TFT结构的阵列面板，根据需要制作的膜层的先后顺序和各层膜间的相互关系，其主要工艺流程可以分为5个步骤（5次光照）：第一步栅极（Gate）及扫描线形成CC'ITOpixelelectrodeCros-section-C’SelectlineDatalineStoragecapacitora-SiTFT具体包括：Gate层金属溅射成膜，Gate光刻，Gate湿刻等工艺制程（各工艺制程的具体介绍在随后的章节中给出）。经过这些工艺，最终在玻璃基板上形成扫描线和栅电极，即Gate电极。工艺完成后得到的图形见下图：第二步栅极绝缘层及非晶硅小岛（Island）形成具体包括：PECVD三层连续成膜，小岛光刻，小岛干刻等工艺制程（各工艺制程的具体介绍在随后的章节中给出）。经过这些工艺，最终在玻璃基板上形成TFT用非晶硅小岛。工艺完成后得到的图形见下图：CC'Cross-sectionCC’第三步源、漏电极（S/D）、数据电极和沟道（Channel）形成具体包括：S/D金属层溅射成膜，S/D光刻，S/D湿刻，沟道干刻等工艺制程（各工艺制程的具体介绍在随后的章节中给出）。经过这些工艺，最终在玻璃基板上形成TFT的源、漏电极、沟道及数据线。到此，TFT已制作完成。工艺完成后得到的图形见下图：CC'SiNa-Si/n+第四步保护绝缘层（Passivition）及过孔（Via）形成具体包括：PECVD成膜，光刻，过孔干刻等工艺制程（各工艺制程的具体介绍在随后的章节中给出）。经过这些工艺，最终在玻璃基板上形成TFT沟道保护绝缘层及导通过孔。工艺完成后得到的图形见下图：CC'第五步透明象素电极ITO的形成具体包括：ITO透明电极层的溅射成膜，ITO光刻，ITO湿刻等工艺制程（各工艺制程的具体介绍在随后的章节中给出）。经过这些工艺，最终在玻璃基板上形成透明象素电极。至此，整个阵列工序制作完成。工艺完成后得到的图形见下图：CC'至此，整个阵列工序制作完成。简单来说5次光照的阵列工序就是：5次成膜＋5次刻蚀。（二）工艺制程在上面的工艺流程中，我们提到，阵列的工艺流程是成膜、光刻、刻蚀等工艺制程的反复使用。以下就这些工艺制程作具体的介绍。1、成膜顾名思义，成膜就是通过物理或化学的手段在玻璃基板的表面形成一层均匀的覆盖层。在TFT阵列制作过程中，我们会用到磁控溅射（Sputter，或称物理气相沉积PVD）和等离子体增强型化学气相沉积（PECVD）。A）磁控溅射（Sputter）溅射是在真空条件下，用He气作为工作气体。自...
