模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9模拟电子技术试题汇编-1-第一章半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子,则多数载流子应是电子,少数载流子应是空穴
2、在N型半导体中,电子浓度大于空穴浓度,而在P型半导体中,电子浓度小于空穴浓度
3、PN结反向偏置时,空间电荷区将变宽
4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区
5、场效应管分为两大类:一类称为_结型场效应管___________,另一类称为__绝缘栅场效应管_______
6、PN结外加反向电压,即电源的正极接N区,电源的负极接P区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________
7、半导体二极管的基本特性是单向导电性____,在电路中可以起___整流____和___检波____等作用
8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种,它们的符号分别为_______和________
9、PN结中进行着两种载流子的运动:多数载流子的扩散运动和少数载流子的___漂移_____运动
10、硅二极管的死区电压约为__0
5____V,锗二极管的死区电压约为__0
1____V
11、晶体管穿透电流CEOI是反向饱和电流CBOI的___1+β_______倍,在选用晶体管的时候,一般希望CBOI尽量___小_______
12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_mg______
13、PN结具有__单向导电_______特性
14、双极型三极管有两个PN结,分别是___集电结____和_发射结______
模拟电子技术试题汇编-2-15、为了保证三极管工作在放大区,应使发射结_____正向________偏置,集电路______反向