电子科技大学2009半导体物理期末考试试卷B试题答案教材VIP免费

学院姓名学号任课老师选课号/座位号⋯⋯⋯密⋯⋯⋯封⋯⋯⋯线⋯⋯⋯以⋯⋯⋯内⋯⋯⋯答⋯⋯⋯题⋯⋯⋯无⋯⋯⋯效⋯⋯第1页共9页电子科技大学二零九至二零一零学年第一学期期末考试半导体物理课程考试题B卷（120分钟）考试形式：闭卷考试日期2010年元月18日课程成绩构成：平时10分，期中5分，实验15分，期末70分一二三四五六七八九十合计复核人签名得分签名一、填空题:（共16分，每空1分）1.简并半导体一般是重掺杂半导体，这时电离杂质对载流子的散射作用不可忽略。2.处在饱和电离区的N型Si半导体在温度升高后，电子迁移率会下降/减小，电阻率会上升/增大。3.电子陷阱存在于P/空穴型半导体中。4.随温度的增加，P型半导体的霍尔系数的符号由正变为负。5.在半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，它们具有杂质补偿的作用，在制造各种半导体器件时，往往利用这种作用改变半导体的导电性能。6.ZnO是一种宽禁带半导体，真空制备过程中通常会导致材料缺氧形成氧空位，存在氧空位的ZnO半导体为N/电子型半导体。7.相对Si而言，InSb是制作霍尔器件的较好材料，是因为其电子迁移率较高/大。8.掺金工艺通常用于制造高频器件。金掺入半导体Si中是一种深能级杂质，通常起复合中心的作用，使得载流子寿命减小。9.有效质量概括了晶体内部势场对载流子的作用，可通过回旋共振实验来测量。10.某N型Si半导体的功函数WS是4.3eV，金属Al的功函数Wm是4.2eV，该半导体得分学院姓名学号任课老师选课号/座位号⋯⋯⋯密⋯⋯⋯封⋯⋯⋯线⋯⋯⋯以⋯⋯⋯内⋯⋯⋯答⋯⋯⋯题⋯⋯⋯无⋯⋯⋯效⋯⋯第2页共9页和金属接触时的界面将会形成反阻挡层接触/欧姆接触。11.有效复合中心的能级位置靠近禁带中心能级/本征费米能级/Ei。12.MIS结构中半导体表面处于临界强反型时，表面少子浓度等于内部多子浓度，表面反型少子的导电能力已经足够强，称此时金属板上所加电压为开启电压/阈值电压。13.金属和n型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正向偏压于金属，则半导体表面电子势垒高度将降低，空间电荷区宽度将相应地（减少/变窄/变薄）。二、选择题（共15分，每题1分）1.如果对半导体进行重掺杂，会出现的现象是D。A.禁带变宽B.少子迁移率增大C.多子浓度减小D.简并化2.已知室温下Si的本征载流子浓度为310105.1cmni。处于稳态的某掺杂Si半导体中电子浓度315105.1cmn，空穴浓度为312105.1cmp，则该半导体A。A.存在小注入的非平衡载流子B.存在大注入的非平衡载流子C.处于热平衡态D.是简并半导体3.下面说法错误的是D。A.若半导体导带中发现电子的几率为0，则该半导体必定处于绝对零度B.计算简并半导体载流子浓度时不能用波尔兹曼统计代替费米统计C.处于低温弱电离区的半导体，其迁移率和电导率都随温度升高而增大D.半导体中，导带电子都处于导带底Ec能级位置4.下面说法正确的是D。A.空穴是一种真实存在的微观粒子B.MIS结构电容可等效为绝缘层电容与半导体表面电容的的并联C.稳态和热平衡态的物理含义是一样的得分学院姓名学号任课老师选课号/座位号⋯⋯⋯密⋯⋯⋯封⋯⋯⋯线⋯⋯⋯以⋯⋯⋯内⋯⋯⋯答⋯⋯⋯题⋯⋯⋯无⋯⋯⋯效⋯⋯第3页共9页D.同一种半导体材料中，电子迁移率比空穴迁移率高5.空间实验室中失重状态下生长的GaAs与地面生长的GaAs相比，载流子迁移率要高，这是因为B。A.无杂质污染B.晶体生长更完整C.化学配比更合理D.宇宙射线的照射作用6.半导体中少数载流子寿命的大小主要决定于A。A.复合机构B.散射机构C.禁带宽度D.晶体结构7.若某材料电阻率随温度升高而单调下降，该材料是A。A.本征半导体B.杂质半导体C.金属导体D.简并半导体8.对于只含一种杂质的非简并ｐ型半导体，费米能级随温度上升而D。A.上升B.下降C.不变D.经过一极值后趋近Ei9.GaAs具有微分负电导现象，原因在于在强电场作用下，A。A.载流子发生能谷间散射B.载流子迁移率增大C.载流子寿命变大D.载流子浓度变小10.以下4种不同掺杂情况的N型Ge半导体中，室温下电子迁移率由大到小的顺序是C。a)掺入浓度1014cm-3的P原子；b)掺入浓度1015cm-3的P原子；c)掺入浓度2×1014cm-3的P原子，浓度为1014cm-3的B原子；d)掺入浓度3×1015cm-3的P原子，浓度为2×1015cm-3的...