李建中魏同立:一种CMOS动态闩锁电压比较器的优化设计1一种CMOS动态闩锁电压比较器的优化设计李建中1,2,魏同立1(1
东南大学微电子中心,南京,210096;2
解放军理工大学通信工程学院,南京,210007)摘要:提出了一种应用于PipelineADC和Sigma-DeltaADC中改进的动态闩锁电压比较器
35μmCMOSN阱工艺设计,工作于2
5V单电源电压
通过详细的分析和优化,使比较器具有较小的输入失调电压和踢回噪声,仿真结果表明它的输入失调电压分布范围为28
6mV,最高的工作达200MHz、功耗230μW
关键词:比较器;模数转换器;正反馈;失调中图分类号:TN432文献标识码:AAnOptimizationDesignofCMOSDynamicLatchedVoltageComparatorLIJian-zhong,WEITong-li(Micro-ElectronicsCenter,SoutheastUniversity,Nanjing,210096,P
China)Abstract:AnimprovedCMOSdynamiclatchedvoltagecomparatorsuitableforpipelineADCsandSigma-DeltaADCsisproposed
Theproposedcomparatorissimulatedina0
35μmCMOSN-Wellprocessandoperatingatasingle2
5Vsupply
Thesimulationresultsshowthataftertheinputoffsetvoltageandkickbacknoiseareoptimized,itsoperationfrequencycouldbeashighas200MHz,anditsinputoffsetvol