4、电磁场与电磁波》知识点及参考答案第1章矢量分析1、如果矢量场F的散度处处为o,即F三°,则矢量场无散场,由旋涡源所产生，通过任何闭合曲面S的通量等于°。2、如果矢量场F的旋度处处为°，即VxF三°，则矢量场是无旋场，由散度源所产生，沿任何闭合路径C的环流等于°。3、矢量分析中的两个重要定理分别是散度定理（高斯定理）和斯托克斯定理，它们的表达式分别是：散度（高斯）定理：JVV，FdV二JSF.dS和fp斯托克斯定理：JVxF•dS=JCF•川丁在有限空间V中，矢量场的性质由其散度、旋度和V边界上所满足的条件唯一的确定。5、描绘物理状态空间分布的标量函数和矢量函数，在时间为一定值的情况下，它们是唯的。（V）6、标量场的梯度运算和矢量场的旋度运算都是矢量。（V）7、梯度的方向是等值面的切线方向。（X8、标量场梯度的旋度恒等于°。（V）9、习题,。第2章电磁场的基本规律（电场部1、静止电荷所产生的电场，称之为静电场;电场强度的方向与正电荷在电场中受力的向相2、在国际单位制中，电场强度的单位是V/m（伏特/3、静电系统在真空中的基本方程的积分形式是:\E-dl=0lD•dS=JpdV=Q和sVVO—>—►4、静电系统在真空中的基本方程的微分形式是：V-D=p和VxE二05、电荷之间的相互作用力是通过电场发生的，电流与电流之间的相互作用力是通过磁发生的。6、在两种媒质分界面的两侧，电场E的切向分量E1t-E2t=0；而磁场5的法向分量B1n-B2n=07、在介电常数为■的均匀各向同性介质中，电位函数为申=-x2+—y2-5z，则电场强度E二一xe一ye+5exyz8、静电平衡状态下，导体内部电场强度、磁场强度等于零，导体表面为等位在导体表面只有电场的法向分量。9、电荷只能在分子或原子范围内作微小位移的物质称为（D）A.导体A.£o£0rC.£11、导体电容的大小（C）B個体D.电介质10、相同的场源条件下，真空中的电场强度是电介质中的（C）倍。B.1/£o£0rD.1/£rA.与导体的电势有关B.与导体所带电荷有关C.与导体的电势无关D.与导体间电位差有关12、z〉0半空间中为£=2的电介质，zVO半空间中为空气，在介质表面无自由电荷分布。若空气中的静电场为E=2e+8e，则电介质中的静电场为（B）。1xzA.E=e+6e2xzC.E=2e+8e2xzB.E=2e+4e2xzD.不能确定—>13、介电常数为£的各向同性介质区域V中，自由电荷的体密度为P，已知这些电荷产生―A―A―A―A的电场为7E=E（X，y，z）,下面表达式中始终成立的是（C）。A.V-D=0B.V-E=p/£C.V-D=pD.同时选择B,C014、在静电场中电力线不是闭合的曲线，所以在交变场中电力线也是非闭合的曲线。（X）15、根据已=—V"，①>0处,E<0；①<0处E>0;0=0处E=0。（X）16、恒定电场中，电源内部存在库仑场E和非库仑场E‘，两者的作用方向总是相反。317、电介质在静电场中发生极化后，在介质的表面必定会出现束缚电荷。（V18、在理想导体与理想介质的分界面上，电场强度E的切向分量是不连续的。（X19、一个有两层介质（£1，£2）的平行反电容器，两种介质的电导率分别为3和叮电容器极板的面积为S，如右图。当外加压力为U时，求:⑴电容器的电场强度；⑵两种介质分界面上表面的自由电荷密度；⑶电容器的漏电导；⑷当满足参数是◎£=Q£，问G/C=（1221C为电容器电容）解：⑴由ED+ED=U,J=J，得11221n2nQU2dQ+dQ2112⑵两介质分界面的法线由1指向2£QU£QUP=2—1—1—2sdQ+dQdQ+dQ21122112⑶由J=S=Q1E1，知dQ£D叮DdQ£D叮DB1n－B=02n—A.线圈上的电流C线圈的尺寸B・两个线圈的相对位置）IQU—2SQdQ+dQ12112IQQSG=—=12UdQ+dQ2112DS8QS1=1_2——UdQ+dQ2112QG/C=孑1磁场部分）1、位移电流与传导电流不同，它与电荷运动无关，只要电场随时间变化，就会有位移电流；而且频率越高，位移电流密度越大d屮2、法拉弟电磁感应定律的方程式为E—-，当dW/dt>0时，其感应电流产生的磁场将dt阻止原磁场增加;磁场强度的单位是A/m（安培/米）3、在两种媒质分界面的两侧，电场E的切向分量E1t-E2t=0；而磁场B的法向分量4、微分形式的安培环路定律表达式为VxH—J，其中的J（A）。A.是自由电流密度B.是束缚电流密度__一C是自由电流和束缚电流密度D.若在真空中则是自由电流密度；在介质中则为束缚电流密度5、两个载流线圈之间...
