光刻工艺流程VIP免费

光刻工艺流程LithographyProcess摘要：光刻技术（lithographytechnology)是指集成电路制造中利用光学—化学反应原理和化学，物理刻蚀法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。光刻是集成电路工艺中的关键性技术，其构想源自于印刷技术中的照相制版技术。光刻技术的发展使得图形线宽不断缩小，集成度不断提高，从而使得器件不断缩小，性能也不断提利用高。还有大面积的均匀曝光，提高了产量，质量，降低了成本。我们所知的光刻工艺的流程为：涂胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。Abstract:Lithographytechnologyisthemanufactureofintegratedcircuitsusingoptical-chemicalreactionprincipleandchemical,physicaletchingmethod,thecircuitpatternistransferredtothesinglecrystalsurfaceorthedielectriclayertoformaneffectivegraphicswindoworfunctiongraphicstechnology.Lithographyisthekeytechnologyinintegratedcircuittechnology,theideaoriginatedinprintingtechnologyinthephotolithographicprocess.Developmentoflithographytechnologymakesgraphicswidthshrinking,integrationcontinuestoimprove,sothatthedevicescontinuetoshrink,theperformanceisalsorising.Thereareevenalargeareaofexposure,improvetheyield,qualityandreducecosts.Weknowlithographyprocessflowis:PhotoresistCoating→Softbake→exposure→development→hardbake→etching→StripPhotoresist.关键词：光刻，涂胶，前烘，曝光，显影，坚膜，刻蚀，去胶。KeyWords:lithography,PhotoresistCoating,Softbake,exposure,development,hardbake,etching,StripPhotoresist.引言：光刻有三要素：光刻机；光刻版（掩模版）；光刻胶。光刻机是IC晶圆中最昂贵的设备，也决定了集成电路最小的特征尺寸。光刻机的种类有接触式光刻机、接近式光刻机、投影式光刻机和步进式光刻机。接触式光刻机设备简单，70年代中期前使用，分辨率只有微米级，掩模板和硅片直接接触，使得掩膜版寿命短。接近式光刻机距硅片表面约10微米，掩膜版拥有更长的寿命，分辨率大于3μm.投影光刻机类似于投影仪，掩模与硅片之间增加一透镜，掩模与硅片1：1，分辨率大约在1微米左右。步进光刻机在IC中是最流行的，它具有高分辨率（0.25微米或以下），掩膜图形尺寸5X：10X能够得到更好的分辨率，但他的曝光时间是5X的四倍；步进光刻机的价格是最昂贵的。掩模版包含了对于整个硅片来说确定一工艺层所需的完整管芯阵列。其中的光刻胶主要由基体（树脂）、感光剂（聚乙烯醇肉桂酸脂）、溶剂（环己酮）、增感剂（5-硝基苊）等不同的材料按一定比例配制而成。其中树脂是粘合剂(Binder)，感光剂是一种光活性(Photoactivity)极强的化合物，它在光刻胶内的含量与树脂相当，两者同时溶解在溶剂中，以液态形式保存，以便于使用。光刻胶分为正胶和负胶；正胶在显影时，感光部分溶解，未感光部分不溶解；负胶显影时感光部分不溶解，不感光部分溶解。正胶的光敏度和抗腐蚀能力都大于负胶。而光刻胶的作用是在刻蚀（腐蚀）或离子注入过程中，保护被光刻胶覆盖的材料。高分辨率，高灵敏的光刻胶，低缺陷和精密的套刻对准是ULSI对光刻的要求。要达到这样的要求就必须在光刻的每一个流程都严格把关，这里分别简单讲讲光刻工艺的各个流程。1.涂胶（PhotoresistCoating）涂胶的目的是在硅片表面形成厚度均匀，附着性强，并且没有缺陷的光刻胶薄膜。涂胶作为光刻工艺的第一步，涂胶的好坏直接决定了之后光刻能否正常进行。涂胶前的Si片是需要处理的以便于光刻胶能更好的附着在上面。由于光刻胶的疏水性，所以Si片首先需要脱水烘培去除水分。然后使用HMDS(六甲基乙硅氮烷)或TMSDEA(三甲基甲硅烷基二乙胺)作增粘处理。对涂胶的要求：粘附良好，均匀，薄厚适当。若胶膜太薄，则会导致针孔多，抗腐蚀性差；若太厚，则分辨率低。涂胶的方式有：浸涂，喷涂，旋涂。其中旋胶工艺步骤：将光刻胶溶液喷洒到硅片表面上；加速旋转托盘（硅片），直至达到需要的旋转速度；达到所需的旋转速度后，保持一定时间的旋转（甩胶...