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简单不良分类及原因介绍Cell 部分 亮点,灭点 个数 , 间距 , 连续 成因: Active remain, S/D remain, Gate remain, P/T Invisible( 不可见 ) 区分方法 : 显微镜下看,哪层的 remain ,根据外形,颜色PIXEL 不良手按 panel, 亮点消失,由于导电 particle 使 C/F 的ITO 和像素 ITO 连接,形成亮点,手按后, particle 碎了。手按 panel, 出现亮点,松开手,变正常。 ( 盒厚 5um)一般情况下算 T 级,不需要 Repair지지 ( 指压 )pixel发生在 2 个 Line 以上或 X 和 Y发生 Cross 的现象 DDS :两条竖直的亮线GGS :两条水平的白线DGS :水平的暗线和一条竖直亮线 ??成因: 金属 Remain 导电 particle DGS 中可以根据导电颗粒的 位置来确定短路处SHORTParticle DATA PAD FAN-OUT 部因异物而发 生 SHORTDDSSCRATCH 在 DATA PAD 上发生 XY 线看起来为亮线或灭线的现象 X 완완 완 완완완 완 완(完全亮线)(完全亮线) 跟跟 contact missingcontact missing 的区的区别在于它的亮度不均别在于它的亮度不均 YY 완완 완완완 완 (( 薄线薄线 )) 浅灰色的亮或者暗线,浅灰色的亮或者暗线,灰度不均,有的段很不明显灰度不均,有的段很不明显 Gate set->Min Gate set->Min 处确认处确认  成因:成因: ESDESD 造成造成 datadata 和和 rerepair line pair line 短接。 短接。 cleanclean 时时候的候的 ptpt 造成造成 openopen 。。Line DefectOPEND-O : X 线中间断掉的状态成因Chemical attackChemical attack (( AATT ))Particle Particle Array DGS(->DO)Array DGS(->DO)InvisibleInvisibleParticle Data Open defect 的一些照片 一段亮线,向一侧逐渐变浅Cst Open (有公用线的话才会发生) 若 STORAGE LINE 在中途断掉,则信号发生 DELAY ,在 OPEN POINT 处变亮,然后逐渐趋于正常 . 因 Vcom 信号发生 DELAY ,所以从两侧施加,但随着 OPEN POINT 不同,发生状态也不同 . ( 若在正中央发生 OPEN ,则不发生亮线 )成因:ESD 契形的亮斑 , 有的伴有 Line Defect  ESD 可以造成诸多不良,很多 PXL , L -D 都是由于 ESD 造成 成因:受 ESD 影响,TFT 发生劣化或损坏 PXL 消...

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