《模拟电子技术》习题集VIP免费

《模拟电子技术》习题集第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。（ ） （2）因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其 RGS大的特点。（ ） （6）若耗尽型 N 沟道 MOS 管的 UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×六、电路如图 T1.6 所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V。试问： （1）Rb＝50kΩ 时，uO＝？ （2）若 T 临界饱和，则 Rb≈？ 解：（1）Rb＝50kΩ 时，基极电流、集电极电流和管压降分别为 26bBEBBBRUVIμA V2mA6.2 CCCCCEBCRIVUII 所以输出电压 UO＝UCE＝2V。 图T1.6（2）设临界饱和时 UCES＝UBE＝0.7V，所以 k4.45A6.28mA86.2BBEBBbCBcCESCCCIUVRIIRUVI1.16 电路如图 P1.16 所示，晶体管导通时 UBE＝0.7V，β=50。试分析 VBB为 0V、1V、1.5V 三种情况下 T 的工作状态及输出电压 uO的值。 解：（1）当 VBB＝0 时，T 截止，uO＝12V。 （2）当 VBB＝1V 时，因为 60bBEQBBBQRUVIμA V9mA3 CCQCCOBQCQRIVuII所以 T 处于放大状态。 （3）当 VBB＝3V 时，因为 160bBEQBBBQRUVIμA BECCQOBQCQmA8 URIVuIICC＜所以 T 处于饱和状态。 1.17 电路如图 P1.17 所示，试问 β 大于多少时晶体管饱和？ 解：取 UCES＝UBE，若管子饱和，则 CbCBECCbBECC RRRUVRUV 所以，100Cb RR时，管子饱和。 图 P1.171.18 电路如图 P1.18 所示，晶体管的 β＝50，|UBE|＝0.2V，饱和管压降|UCES|＝0.1V；稳压管的稳定电压 UZ＝5V，正向导通电压 UD＝0.5V。试问：当 uI＝0V 时 uO＝？当 uI＝－5V 时 uO＝？ 解：当 uI＝0 时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5V。 当 uI＝－5V 时，晶体管饱和，uO＝0.1V。因为 mA24μA480BCbBEIBIIRUuI CCCCCCECVRIVU＜ 图 P1.18 第二章 基本放大电路自 测 题 一、在...