模拟电子技术基础试卷及答案VIP免费

0iD/mA-4 uGS/V5V2V1+uO_usRBRs+VCCVC+RCRiOtuItuo4 题图7 题图模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18 分）1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为 10V，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V，经过电容滤波后为 12 V，二极管所承受的最大反向电压为 14 V。3．差分放大电路，若两个输入信号 uI1uI2，则输出电压，uO 0 ；若 u I1=100 V，u I 2=80 V 则差模输入电压uId=20V；共模输入电压 uIc=90 V。4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于 10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于 10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制 50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。5．若三级放大电路中 Au1Au230dB，Au320dB，则其总电压增益为 80 dB，折合为 10 4 倍。6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流 ICQ 0 、静态时的电源功耗 PDC= 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。7．集成三端稳压器 CW7915 的输出电压为 15 V。二、选择正确答案填空（20 分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为 0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（ A ）。A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。A．P 沟道增强型 MOS 管 B、P 沟道结型场效应管 C、N 沟道增强型 MOS 管 D、N 沟道耗尽型 MOS 管3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大4.在图示电路中,Ri 为其输入电阻，RS 为常数，为使下限频率 fL 降低，应（ D ）。A． 减小 C，减小 Ri B. 减小 C，增大 Ri C. 增大 C，减小 Ri D. 增大 C，增大 Ri5.如图所示复合管，已知 V1的1 = 30，V2的2 = 50，则复合后的约为（ A ）。A．1500 B.80 C.50 D.306.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即 RC 串并联选频网络和（ D ）。A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所...