电脑桌面
添加小米粒文库到电脑桌面
安装后可以在桌面快捷访问

可控硅设备与igbt设备对比VIP免费

可控硅设备与igbt设备对比_第1页
1/9
可控硅设备与igbt设备对比_第2页
2/9
可控硅设备与igbt设备对比_第3页
3/9
少年易学老难成,一寸光阴不可轻 - 百度文库 1 目 录 目 录 ............................................................................................................................ 1 第一部分:关于IGBT 器件和可控硅器件的对比 ............................................................. 2 1. IGBT 和可控硅内部原理对比 .............................................................................................................................. 2 第二部分:多种电路结构中频电源能耗对比 ................................................................... 3 1. 可控硅并联谐振电源 ............................................................................................................................................ 3 2. IGBT 串联谐振电源 .............................................................................................................................................. 3 第三部分:IGBT 串联感应加热电源对比可控硅并联感应加热电源可靠性优势 ............... 6 少年易学老难成,一寸光阴不可轻 - 百度文库 2 第一部分:关于IGBT 器件和可控硅器件的对比 1. IGBT 和可控硅内部原理对比 IGBT 是栅极为MOS 构造,同时兼具MOS 管高速、输入阻抗高、易驱动与GTR 的通态压降小、载流密度大、耐压高、热稳定性好、双极晶体管通态压降低的优点于一身。,简化结构如上图。工作时由于IGBT 的电导调制特性,RN 减小很多使得IGBT 的通态电阻很低,大约为VMOS 的十分之一,使得IGBT 的功耗很低。从简化等效电路上看,IGBT相当于是用双极性晶体管与MOSFET 组成的达林顿结构,相当于一个MOSFET 驱动的晶体管。因此,IGBT 的通态压降很低,特别是在大电流的情况下更为明显。而由于IGBT的栅极为MOS 构造,因此IGBT 的开关损耗与可控硅相比非常低。 可控硅为换流关断型,它的门极只能使管子开通,不能使其关断。管子开通后,门极就失去了控制能力,只能依靠外部换流使流过管子的电流下降为0,或者使管子两端的电压反向而关断。因此可控硅的开关损耗非常高,在较高的频率下使用效率很低。 IGBT 内部结构示意图 可控硅内部结构示意图 少年易学老难成,一寸光阴不可轻 - 百度文库 3 第二部分:多种电路结构中频电...

1、当您付费下载文档后,您只拥有了使用权限,并不意味着购买了版权,文档只能用于自身使用,不得用于其他商业用途(如 [转卖]进行直接盈利或[编辑后售卖]进行间接盈利)。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。
3、如文档内容存在违规,或者侵犯商业秘密、侵犯著作权等,请点击“违规举报”。

碎片内容

可控硅设备与igbt设备对比

确认删除?
VIP
微信客服
  • 扫码咨询
会员Q群
  • 会员专属群点击这里加入QQ群
客服邮箱
回到顶部