主板场效应管基本知识 场管是业内的一种简称，它的全名叫场效应管，场效应管是一种电压控制的半导体器件。它与普通电流控制的晶体管比较，具有输入电阻高、噪声低等特点，在电子电路中被广泛采用。 一、场效应管的工作原理 场效应管从结构上分，主要有结型场效应管和绝缘栅场效应管两种。 1、 结型场效应管 ●在介绍晶体二极管和晶体三级管时讲到了 PN结的特性。PN结外加反向电压时。空间电荷已变薄，处于截止状态；反向电压增大，空间电荷区随之增厚。 ●结型场效应管的基本结构，是在一块 N型硅半导体材料上制造两个 P区域形成 PN结，并且使两个 PN结均处于反向偏置。改变反向电压，可以控制两个空间电荷区（又叫耗尽区）的厚薄。两个空间电荷区好象两大门；场效应管正是通过“大门”的开合大小（图表 3-20) 来控制流过管子的工作电流的。电子流通（N型半导体多数载流子从源极向漏极的漂移）的“路径”，我们叫它导电沟道。沟道可以是 N型沟道，也可以是 P型沟道。 ●结型场效应管的电极也有三个。N型硅半导体两端各引出一个电极，分别叫漏极（D）和源极（S）。N型硅两侧的 P型区的引线连接在一起成为栅极（G）。如果和普通晶体管相比，漏极相当于集电极源极相当于射极，栅极相当于基极。图 3-21示出了 N型沟道结型场效应管的结构和电路符号。 ●从图 3-21可以看到，栅极之间的 PN结都是反向偏置。两个 PN结的空间电荷区的厚薄，随栅负压大小而变化。显然，当漏极电压 ED和电阻 RD一定时，负栅压越大，两个耗尽区越厚，导电沟道越窄，漏极电流 ID也就越小。ID随栅压的变化而变化。这好象电流控制的普通晶体管中集电极电流随基极电流的变化而变化一样。 ●当我们在漏极接上足够的电阻RD时，栅极电压控制的漏极电流将在RD两端产生一个很大的电压降。这说明场效应管具有放大作用。例如：假定在图3-22所示 的场效应管组成的放大器中（图表-22）输入电压UGS从0 变化到-1伏，漏极电流由5 毫安降到两毫安（栅负压增大，导电沟道变窄），变化了3 毫安。当漏极电阻为5 千欧时，则RD两端电压为0.003×5000=15 伏。输入电压的变化量放大了15 倍。 ●●●结型场效应管主要参数有： （1） 饱和漏源电流IDss-----当栅极和源极短路，栅压等于零时的漏源电流。 （2） 夹断电压UP----指漏源电压一定时，使漏源电流等于零（或极小）时的栅偏压值。夹断的意思是栅负压增大到一定值时，两PN结阻挡层变得很厚，以致导电沟道闭...
