半 導 體 物 理 知 識 點 總 結 附 重 要 名 詞 解 釋 1 半導體物理知識點要點 第一章 半导体电子状态 1.1 半导体 ...
一、 选择题 1. 如果半导体中电子浓度等于空穴浓度,则该半导体以( A )导电为主;如果半导体中电子浓度大于空穴浓度,则该半导体以...
系别 班次 学号 姓名 . ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 第 1 页 共 8页 1 一...
第一章 半导体中的电子状态 §1.1 锗和硅的晶体结构特征 金刚石结构的基本特征 §1.2 半导体中的电子状态和能带 电子共有化运动概念...
半 导 体 物 理 学 名 词 解 释 1、 直 接 复 合 : 电 子 在 导 带 与 价 带 间 直 接 跃 迁 而 引 起 ...
1 半导体物理习题解答 目录 1-1.(P32)设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量Ev(k)分别为:...
1 半导体物理习题解答 1-1.(P32)设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量Ev(k)分别为: Ec(k)...
第四章习题及答案 1. 300K时,Ge的本征电阻率为47cm,如电子和空穴迁移率分别为3900cm2/( V.S)和1900cm2/( V.S)。 试求 Ge 的载流...
第五章习题 1. 在一个n 型半导体样品中,过剩空穴浓度为1013cm-3, 空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。 2. 用强光照射 n 型样品...
第三章习题和答案 1. 计算能量在E=Ec到2*n2CL2m100EE 之间单位体积中的量子态数。 解: 2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状...
第一章习题 1.设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为: Ec=0220122021202236)(,)(3mkhmkhk...
第一章习题 1.设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为: Ec=0220122021202236)(,)(3mkhmkhk...
第一章习题 1.设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为: EC(K)=0220122021202236)(,)(3...
第一章习题 1.设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为: Ec=0220122021202236)(,)(3mkhmk...
第一章习题1.设晶格常数为 a的一维晶格,导带极小值附近能量 Ec(k)和价带极大值附近能量 EV(k)分别为:Ec=0220122021202236)(,)(3mkhmk...