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精品文档---下载后可任意编辑MOS 管扩展区电阻调节的讨论的开题报告题目：MOS 管扩展区电阻调节的讨论引言：MOS 管（金属氧化物半导体场...
精品文档---下载后可任意编辑 在使用 MOS 管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑 MOS 的导通电阻，最大电压等，最...
精品文档---下载后可任意编辑MOS 模拟器件的不匹配性讨论的开题报告一、讨论背景与现状随着科技的进步，每一领域的进展主要依赖于电子技术...
精品文档---下载后可任意编辑MOS 器件高 k 介质缺陷电荷俘获与噪声相关性讨论的开题报告【摘要】本文选取 MOS 器件高 k 介质作为讨...
精品文档---下载后可任意编辑MOS 器件的 1f 噪声测试和特性讨论的开题报告开题报告题目：MOS 器件的 1/f 噪声测试和特性讨论一、讨论...
精品文档---下载后可任意编辑MOS 器件 65 纳米节点应力与几何参数波动性讨论的开题报告题目：MOS 器件 65 纳米节点应力与几何参数波...
1 第 7章 MOSFET原 理 7.1 金 属 、半导体的功函数 在绝对零度时，金属中的电子填满了费米能级FE以下的所有能级，而高于费米能级F...
浙江台州WCDMA 优化小组 第 1 页 共 14 页 关于 MOS值提升的参数小结（内部） （王姬云） 2009 年 7 月 1 日 浙江台州WCD...
精品文档---下载后可任意编辑77K 温度下 MOS 器件的 SPICE 模型实现中期报告本文介绍了在 77K 温度下 MOS 器件 SPICE 模型实现...
精品文档---下载后可任意编辑77K 下 MOS 器件的 SPICE 模型讨论的开题报告尊敬的指导老师：近年来，随着科技的不断进展，各种数字化、...
习题 3 客观检测题 一、填空题 2. 三极管的发射区 杂质 浓度很高，而基区很薄。 5. 处于放大状态的晶体管，集电极电流是 少数载...
1 A N 978 ᑨϬݠ ʌय़⍂ࡼMOSᷙᵕȥࡼ▊៤ϹᲳ (ৰϔᾬӑ) ּ݇ᷛL • ʌय़ջ఼ӊՈᷙᵕȥࡼᡅ∖ • ൟMOS ᷙᵕȥࡼ఼˄M...
高压MOS 管----IRF 系列 学习杂记 2008-01-29 15:04:28 阅读2856 评论2 字号：大中小 订阅 IRF024 N-场效应 60 17 60 TO-20...
IRF的P沟道MOS管
PartVBRDSS (V)RDS(on) MaxID @ TC = 25ID @ TC = 10PackagePower DissipaQg Typ (nC)Qgd Typ (nC)IRLR2908 8028.03928D-P...
对 MOS 失效的原因总结以下六点MOS 管是金属 (metal) —氧化物 (oxide) —半导体 (semiconductor) 场效应晶体管，或者称是金属—...
AO3160NewSOT23-3SingleHigh VoltageNNoNoAO3162NewSOT23-3SingleHigh VoltageNNoNoAO3400Not for new designsAO3400ASOT23-3SingleGe...
对 MOS 失效的原因总结以下六点MOS 管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属一绝缘体(insula...
功率MOSFET(Pow er MOSFET)的基本知识 自1976 年开发出功率MOSFET 以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：如高压功率MOS...
