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精品文档---下载后可任意编辑MOS 器件的 1f 噪声测试和特性讨论的开题报告开题报告题目：MOS 器件的 1/f 噪声测试和特性讨论一、讨论...
精品文档---下载后可任意编辑MOS 器件 65 纳米节点应力与几何参数波动性讨论的开题报告题目：MOS 器件 65 纳米节点应力与几何参数波...
精品文档---下载后可任意编辑77K 温度下 MOS 器件的 SPICE 模型实现中期报告本文介绍了在 77K 温度下 MOS 器件 SPICE 模型实现...
精品文档---下载后可任意编辑77K 下 MOS 器件的 SPICE 模型讨论的开题报告尊敬的指导老师：近年来，随着科技的不断进展，各种数字化、...
高压MOS 管----IRF 系列 学习杂记 2008-01-29 15:04:28 阅读2856 评论2 字号：大中小 订阅 IRF024 N-场效应 60 17 60 TO-20...
PartVBRDSS (V)RDS(on) MaxID @ TC = 25ID @ TC = 10PackagePower DissipaQg Typ (nC)Qgd Typ (nC)IRLR2908 8028.03928D-P...
对 MOS 失效的原因总结以下六点MOS 管是金属 (metal) —氧化物 (oxide) —半导体 (semiconductor) 场效应晶体管，或者称是金属—...
AO3160NewSOT23-3SingleHigh VoltageNNoNoAO3162NewSOT23-3SingleHigh VoltageNNoNoAO3400Not for new designsAO3400ASOT23-3SingleGe...
对 MOS 失效的原因总结以下六点MOS 管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属一绝缘体(insula...
功率MOSFET(Pow er MOSFET)的基本知识 自1976 年开发出功率MOSFET 以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：如高压功率MOS...
