nand_读写速度计算方法详解VIP免费

1 Nand Flash读写速度的计算方法 在下面的部分，我们以Micron 的Nand Flash 芯片为例，看一下Nand Flash 的访问速度(Write / Read)是如何计算的？我们可以利用Datasheet 提供的Read / Program / Erase 操作时序图进行逐项累加，并通过一定的公式推导来完成。 以下图为例，这是一个相当复杂的图示。它包含两部分(target)。每个 target 有两个 LUNs (Logic Unit)。每个都是完全独立的。但 LUNs can do interleaved operations. 如下图所示：LUN1 和 LUN2 在同一个 target 中。这样的好处是：最大化带宽和降低干扰。 2 上述设备的参数具体情况如下： 下面以 Synchronous Interface 为例进行 Nand Flash 访问速度的计算： 3 1. Read operation <1> Read a single page 消耗时间计算如下: 7 * tCAD (Send address and command) + (tWB + tR) (Read data from the NAND Flash Array into the data register) + tdqs * 4320(Transfer a page of data out) tCAD = 25ns tWB = 100ns tR = 25us tdqs = 0.5 tCK (minimum) tCK = 12ns (minimum) Total Time: 7 * 25ns + 100ns + 25000ns + 0.5 * 12ns * 4320 = 51195ns Data Transferred: 4320 bytes Bandwidth: 4320 bytes / 51.195us = 84.4MB/s 主要特性: 1) 页大小为: 4K + 224 Bytes。 2) 采用 DQS 的上升沿和下降沿同时采集数据来进行传输。 4 <2> 2 LUN Four-plane page read The time needed: [ (7 * tCAD + tWB + tDBSY) * 3 + (7 * tCAD + tWB + tDBSY) * 3 + (7 * tCAD + tWB) + (7 * tCAD + tWB + tR) + [(7 * tCAD + tCCS + tDQSCK + tdqs * 4320)] * 8 Note: tCAD = 25ns tWB = 100ns tDBSY = 0.5us = 500ns tR = 30us = 30000ns (for multi-plane read) tdqs = 0.5tCK tCK = 12ns tCCS = 200ns tDQSCK = 20ns tTime = [ (175ns + 100ns + 500ns) * 3 + (175ns + 100ns + 500ns) * 3 + (175ns + 100ns) + (175ns + 100ns + 30000ns) + [(175ns + 200ns + 20ns + 0.5 * 12ns * 4320)] * 8 = 2325ns + 2325ns + 30550ns + 210520ns = 245720ns Data transferred: 4320 * 4 * 2 = 3456...