模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体 ---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅 Si、锗 Ge) 。2.特性 ---光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体 ---- 纯净的具有单晶体结构的半导体。4.两种载流子---- 带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体 ---- 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P 型半导体 :在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。*N 型半导体 : 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6.杂质半导体的特性* 载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。* 体电阻 ---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。* 转型 ---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7. PN 结* PN 结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V ，锗材料约为0.2~0.3V 。* PN 结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。8. PN 结的伏安特性二. 半导体二极管* 单向导电性 ------ 正向导通，反向截止。* 二极管伏安特性---- 同ＰＮ结。* 正向导通压降------ 硅管 0.6~0.7V ，锗管 0.2~0.3V 。* 死区电压 ------ 硅管 0.5V ，锗管 0.1V 。3.分析方法 ------ 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏)，二极管导通(短路 ); 若 V阳 V 阴( 正偏)，二极管导通(短路 ); 若 V 阳
