《数字电子技术》研究性学习用 CMOS传输门和 CMOS非门设计边沿 D触发器姓名：贾岚婷学号： 13211153 班级：通信 1307 指导老师：侯建军时间： 2015 年 12 月 1 日用 CMOS传输门和 CMOS与非门设计D 触发器2 目录摘要3 关键字3 正文3 1 电路结构图及其原理3 1．1 传输门3 1．2 与非门 3 1．3 D 触发器电路4 2 电路工作原理仿真5 3 特征方程、特征表、激励表与状态图53．1 特征方程5 3．2 特征表 5 3．3 激励表6 3．4 状态图6 4 激励信号 D 的保持时间和时钟CP的最大频率6 5 设计的 D 触发器转换成JK触发器和 T触发器8 5．1 D 触发器转换为JK触发器8 5．2 D 触发器转换为T 触发器9 6 基于 CMOS的 D 触发器芯片与基于TTL的 D 触发器芯片外特性比较分析11 7 CMOS D触发器的应用——CD4013触摸开关 13 8 总结 14 8．1 总结 14 8．2 感想 14 参考文献15 用 CMOS传输门和 CMOS与非门设计D 触发器3 摘要： 本文主要研究了用CMOS传输门和 CMOS非门设计边沿D触发器。首先分析CMOS传输门和 CMOS与非门原理；然后设计出CMOS传输门和 CMOS非门设计边沿D触发器；阐述电路工作原理； 写出特征方程，画出特征表，激励表与状态图；计算出激励信号D的保持时间和时钟 CP的最大频率；将设计的D触发器转换成JK 触发器和 T 触发器，最后对CMOS构成的D触发器进行辨证分析。关键词： CMOS传输门； CMOS非门；边沿D 触发器；1. 结构图以及功能1.1CMOS传输门图 1 传输门的结构图原理：所谓传输门（ TG）就是一种传输模拟信号的模拟开关。CMOS传输门由一个P 沟道和一个 N沟道增强型MOS管并联而成，如上图所示。设它们的开启电压|VT|=2V 且输入模拟信号的变化范围为0V 到+5V。为使衬底与漏源极之间的PN结任何时刻都不致正偏，故T2的衬底接 +5V电压，而 T1 的衬底接地。传输门的工作情况如下：当C端接低电压0V 时 T1 的栅压即为0V，vI 取 0V 到+5V 范围内的任意值时，TN均不导通。同时,TP 的栅压为 +5V，TP 亦不导通。可见，当C端接低电压时，开关是断开的。为使开关接通，可将C端接高电压 +5V。此时 T1 的栅压为 +5V，vI 在 0V到+3V 的范围内， TN导通。同时T2 的棚压为 -5V，vI 在 2V 到+5V 的范围内 T2 将导通。由上分析可知，当vI ＜+3V 时，仅有 T1 导通，而当vI ＞ +3V时，仅有 T2 导通当 vI 在 2V 到+3V 的范围内， ...
