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红外技术的发展现状与发展趋势

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红外技术的发展现状与发展趋势第一部分红外技术的发展及主要应用领域红外技术的发展1800 年,英国天文学家. 赫歇耳利用水银温度计来研究太阳光的能量分布发现了红外辐射,从那时起,人们就致力于研究各种红外探测器以便更好地研究和探测红外辐射。在红外探测器发展中,以下事件具有重要意义:上世纪 70 年代,热成像系统和电荷耦合器件被成功地应用。上世纪末以焦面阵列(FPA)为代表的红外器件被成功地应用。红外技术的核心是红外探测器。红外探测器单元红外探测器:如InSb (锑化铟)、 HgCdTe(碲镉汞)、非本征硅,以及热电等探测器。线列:以 60 元、 120 元、 180 元和 256 元等,可以拼接到1024 元甚至更多元。4N系列扫描型焦平面阵列:如211 所的研制生产的4x288。凝视型焦平面阵列(IRFPA) :致冷型 256x256、320x240、 384x288,更大规模的如640x512 ,1024×1024 和 1280×720 元阵列也已有了;非致冷型 160×120、 320x240 已广泛应用于各个行业中, 384x288 、 640x480 也已开始应用。红外探测器按其特点可分为四代:第一代( 1970s- 80s):主要是以单元、多元器件进行光机串/ 并扫描成像;第二代( 1990s- 2000s):是以 4x288 为代表的扫描型焦平面;第三代:凝视型焦平面;第四代:目前正在发展的以大面阵、高分辨率、多波段、智能灵巧型为主要特点的系统芯片,具有高性能数字信号处理功能,甚至具备单片多波段探测与识别能力。目前非制冷焦平面探测器的主流技术为热敏电阻式微辐射热计,根据使用的热敏电阻材料的不同可以分为氧化钒探测器和非晶硅探测器两种。非制冷焦平面阵列探测器的发展,其性能可以满足部分的军事用途和几乎所有的民用领域,真正实现了小型化、低价格和高可靠性,成为红外探测成像领域中极具前途和市场潜力的发展方向。氧化钒技术由美国的Honeywell公司在九十年代初研发成功,目前其专利授权BAE、 L-3/IR 、FLIR-INDIGO、DRS、以及日本NEC、以色列 SCD等几家公司生产。非晶硅技术主要由法国的CEA/LETI/LIR实验室在九十年代末研发成功,目前主要由法国的SOFRADIR和 ULIS 公司生产。目前世界上只有美国、法国、日本、以色列四个国家拥有非制冷焦平面探测器产业化生产的能力,其核心技术仅有美国和法国两个国家掌握,日本和以色列则由美国取得技术许可,在其国内生产和有限制地使用。对我国的出口则设置了更多严格的限制,如大家遇到的帧频限制。我国已经开展了从...

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