整 机 工 作 原 理 请 参 考 AV产 品 维 修 指 南 第 四 册 第 二 章 第 四 节 SOC方 案 系 列 DVD 。 开 关 电 源 电 路 一 、 TEA1523 简 介 TEA1523 为 飞 利 浦 公 司 TEA152X 系 列 单 片 开 关 电 源 之 一 ， 它 采 用 回 扫 (Flyback)技 术 ， 可 提 供50W 电 力 输出 ， 在 备 用 工 作 状 态 时 仅 消 耗 100mW 电 能 。 内 置 功 率 MOSFET（ 金 属 氧 化 物 半 导 体 场 效 应 晶 体 管 ）， 在 芯 片 上 高电 压 部 分 采 用 可 耐 压650V 的EZ-HVTM 工 艺 ， 控 制 部 分 采 用BiCMOS 工 艺 ， 它 还 采 用 独 特 的 谷 值 开 关 技 术 ， 可把 功 率MOSFET 的 开 关 损 耗 抑 制 到 最 低 限 度 。 所 谓 谷 值 开 关 技 术 ， 是 利 用 功 率MOSFET 的 漏 极 振 荡 波 形 在 其 谷值 时 实 现 开 关 的 技 术 ： 当 漏 极 电 压 波 形 处 于 波 谷 时 ， 使 功 率MOSFET 开 始 导 通， 这时 的 功 率 开 关 管 损 耗PSW=0.5×Cpar×Vd2×fsw， 表达式中的Cpar 是 漏 极 上 寄生电 容， Vd 是 漏 极 的 电 压 ， fsw 是 开 关 频率 。 当 漏极 电 压 处 于 最 低 值 时 接通功 率 开 关 管 ， 这时 的 开 关 管 损 耗 自然是 可 以很低 的 。 也就是 说， 由于 采 用 谷 值 开 关技 术 ， 不仅 降低 了功 率 MOSFET 的 开 关 损 耗 而且电 磁干扰EMI 也是 最 小的 。 由于TEA1523 整 体 高 效 率 ， 对于 某一 电 源 的 纹波 可 用 小容量 的 电 容器 进 行 滤 波 ， 所 以该 器 件 适 合 于 构 建低 价 位 的 电 源 系 统 。 根 据 电 源 负 载 状 况 ， 当 负 载 很轻 时 ， 可 降低 开 关 频率 ， 无 负 载 (备 用 状 态 )以及 轻 负 载 时 ，电 力 消 耗 很小， 这时 占 空 因 数 也同 时 减 少 。 TEA1523 高 度 集 成 了PWM 控 制 器 和 高 压 功 率 MOSFET。 其 中， 功 率 MOSFET 开 关 具 有 高 电 压 、 低 漏 源 电 阻 、低 电 容以及 低 栅 极 阀 值 电...
