一、 待机条件产生原理 1.实时时钟供电 RTCVDD BAT 电池电压 VBATT，通过 RB 电阻改名为 VBAT，一路送到 IO 检测电池电量，二路送到肖特基二极管 D2 的 1 脚，从 3 脚输出 RTCVDD 电压，给桥 RTC 电路提供供电。 2. 实时时钟复位 RTCRST# RTCVDD 电压通过 R234 电阻和 C95 组成的 RC 延时电路，延时后得到－RTCRST 高电平， 一路通过电阻 R230 送到 CMOS 跳线帽 CLR_COMS。二路送到桥的 RTCRTS#脚，复位桥内部 RTC 电路。 3.实时时钟频率 32.768KHZ 桥得到 VCCRTC、RTCRST#后，给 X2 晶振供电，晶振起振产生 32.768KHZ 频率给桥的 RTC 电路，桥内部 RTC 电路开始工作。 4.PCH 待机供电3VDUAL_PCH 给电源接上电，电源输出5VSB 供电，通过Q62 降压得到3.3V 的3VDUAL_PCH待机电压,给桥和IO 芯片提供待机供电。 5.深度休眠供电VCCDSW 3VDUAL_PCH 同时给桥的VCCDSW 点提供深度休眠供电。 6.深度休眠电压好信号 DPWROK 3VDUAL_PCH 通过R360 和R361 电阻分压后，送到Q35 的B 极，控制 Q35 导通，使 Q34 截止，通过R348 电阻上拉得到高电平的PCH_DPWROK 信号给桥，表示主板深度休眠供电正常。 7.5V 双路供电5VDUAL 电源输出5VSB 待机电压，通过R435 和R434 电阻分压，得到2.5V 电压，关到比较器U8A 的2 脚，和U8B 的6 脚。待机时VCC、+12V 都无输出，比较器正输入端电压小于负输入端电压，输出低电平。分别送到Q53 和Q69 的G 极，使 Q69 导通，Q53 截止，5VSB 通过Q69 转换为 5VDUAL 电压输出。开机后 VCC 输出5V 电压，+12V 输出12V 电压，通过电阻分压送到比较器正输入端，比较器正输入端电压大于负输入端电压，比较器输出高阻态，通过+12V 上拉为12V 高电平，分别送到Q53 和Q69 使 Q53 导通，Q69 截止，VCC 通过Q53 转换为 5VDUAL 电压输出。（Q53 为 N 沟道 MOS 管，Q69 为 P 沟道 MOS 管） 8.PCI-E 待机供电3VDUAL 5VDUAL 电压通过Q66 降压为3.3V 的3VDUAL 待机电压，给PCI－E 插槽提供待机供电。 9.待机电压好信号-RSMRST IO 得到 3VDUAL_PCH 待机供电后，从 116 脚输出高电平的RSMRST#信号，通过R412 电阻上拉为3.3V，发送到桥表示主桥待机供电正常。 －RSMRST#信号同时受控于桥的－DEPSLP 信号（待机供电开启SLP_SUS），桥输出高电平的－DEPSLP 信号使D9 截止，Q63 三极管导通，MOS 管Q58...
