一、 待机条件产生原理 1
实时时钟供电 RTCVDD BAT 电池电压 VBATT,通过 RB 电阻改名为 VBAT,一路送到 IO 检测电池电量,二路送到肖特基二极管 D2 的 1 脚,从 3 脚输出 RTCVDD 电压,给桥 RTC 电路提供供电
实时时钟复位 RTCRST# RTCVDD 电压通过 R234 电阻和 C95 组成的 RC 延时电路,延时后得到-RTCRST 高电平, 一路通过电阻 R230 送到 CMOS 跳线帽 CLR_COMS
二路送到桥的 RTCRTS#脚,复位桥内部 RTC 电路
实时时钟频率 32
768KHZ 桥得到 VCCRTC、RTCRST#后,给 X2 晶振供电,晶振起振产生 32
768KHZ 频率给桥的 RTC 电路,桥内部 RTC 电路开始工作
PCH 待机供电3VDUAL_PCH 给电源接上电,电源输出5VSB 供电,通过Q62 降压得到3
3V 的3VDUAL_PCH待机电压,给桥和IO 芯片提供待机供电
深度休眠供电VCCDSW 3VDUAL_PCH 同时给桥的VCCDSW 点提供深度休眠供电
深度休眠电压好信号 DPWROK 3VDUAL_PCH 通过R360 和R361 电阻分压后,送到Q35 的B 极,控制 Q35 导通,使 Q34 截止,通过R348 电阻上拉得到高电平的PCH_DPWROK 信号给桥,表示主板深度休眠供电正常
5V 双路供电5VDUAL 电源输出5VSB 待机电压,通过R435 和R434 电阻分压,得到2
5V 电压,关到比较器U8A 的2 脚,和U8B 的6 脚
待机时VCC、+12V 都无输出,比较器正输入端电压小于负输入端电压,输出低电平
分别送到Q53 和Q69 的G 极,使 Q69 导通,Q53 截止,5VSB 通过Q69 转换为 5VDUAL