晶体三极管知识 晶体三极管作为重要的半导体器件，其基本结构和工作原理需要掌握。下面具体介绍。 三极管的基本结构是两个反向连结的pn 接面，如图1 所示，可有pnp 和npn 两种组合。三个接出来的端点依序称为射极（emitter, E）、基极（base, B）和集 极（collector, C），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出 npn 与 pnp 三极管的电路符号，射极特别被标出，箭号所指的极为n 型半导体， 和二极体的符号一致。在没接外加偏压时，两个pn 接面都会形成耗尽区，将中 性的p 型区和n 型区隔开。 图1 pnp(a)与 npn(b)三极管的结构示意图与电路符号。 三极管的电特性和两个pn 接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这里 我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”(forward active)，在此区 EB 极间的pn 接 面维持在正向偏压，而 BC 极间的pn 接面则在反向偏压，通常用作放大器的三极管 都以此方式偏压。图2(a)为一 pnp 三极管在此偏压区的示意图。 EB 接面的空乏 区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射极的电洞会注入到基极，基 极的电子也会注入到射极；而 BC 接面的耗尽区则会变宽，载体看到的位障变大， 故本身是不导通的。图2(b)画的是没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情形 下，电洞和电子的电位能的分布图。 三极管和两个反向相接的pn 二极管有什么差别呢？其间最大的不同部分就在 于三极管的两个接面相当接近。以上述之偏压在正向活性区之 pnp 三极管为例， 射极的电洞注入基极的n 型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽，然后朝集电极 方向扩散，同时也被电子复合。当没有被复合的电洞到达 BC 接面的耗尽区时， 会被此区内的电场加速扫入集电极，电洞在集电极中为多数载体，很快藉由漂移电流 到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流 IC。 IC 的大小和BC 间反向偏压的大小 关系不大。基极外部仅需提供与注入电洞复合部分的电子流 IBrec，与由基极注入 射极的电子流 InB? E（这部分是三极管作用不需要的部分）。 InB? E 在射极与与电 洞复合，即 InB? E=IErec。pnp 三极管在正向活性区时主要的电流种类可以清楚地 在图3(a)中看出。 图2 (a)一pnp 三极管偏压在正向活性区；(b)没外加偏压，和偏压在正向 活性区两种情形下，电洞和电子的电位能的分布图比较。 图 3 (a) pnp 三极管在正向活性区时主要的电流种类；(b)电洞电位...
