选择 NMOS 器件的衬底是 型半导体。 （ B ） A. N 型 B. P 型 C. 本征型 D. 耗尽型 N 型半导体材料的迁移率比 P 型半导体材料的迁移率 （ C ） A. 相等 B. 小 C. 大 D. 不确定 在 lay ou t 中给金属线加线名标注，即用 lable 按 schematic 的Pin 的要求对所要标注的金属线进行说明，通常对 metal1 层加 Pin 的标注是用下列层次中的哪一层？ （b ） A. metal1 lay er B. mt1tx t lay er C. metal2 lay er D. mt2tx t lay er 在集成电路版图设计中，v ia1 层通常是用来做第一层金属层和下列哪些层次的通孔层的？ （A ） A. metal2 B. activ e C. poly D. nmell 在集成电路版图设计中， 如果想插入一个器件或单元，请问用哪个快捷键？ （C ） A. a B. c C. i D. k 在集成电路版图设计中，如果想把画过的尺子清除掉，请问用哪个快捷键？ （D ） A. a B. k C. i D. shift k 在一个一般的制程中，下列材料集成电阻，方块电阻最大的是 （B ） A. 扩散电阻 B. 阱电阻 C. 多晶硅电阻 D. 铝层连线电阻 下列关于保护环的说法不正确的是 。 （ D ） A. 保护环的目的是给衬底或阱提供均匀的偏置电压。 B. 保护环可以接在 VDD 或 GND 上。 C. 保护环可以减少衬底耦合噪声对敏感电路的影响。 D. 保护环无助于闩锁效应的避免。 设计模拟版图时，要考虑的问题比作数字版图多，下列哪个方面不要考虑？ （a ） A. 面积要小 B．寄生效应（parasitics） C．对称（matching） D．噪声问题（noise issu es） 关于集成电路中的无源器件说法不正确的是 。 （ C ） A. 集成电路无法高效的实现高值无源器件。 B．要精确实现某一特定阻值的电阻几乎是不可能的。 C．由于制造工艺的偏差，无源器件的比例容差（Ratio Tolerance）也必定很大。 D．尽管存在制造工艺上的偏差，但是无源器件的比例容差（Ratio Tolerance）可以控制在很小的范围内。 PMOS 器件的衬底是 型半导体。 （ A ） A. N 型 B. P 型 C. activ e_contact D. 都不需要 要想将版图中的金属 2 与金属 1 实现电连接，需要在它们之间加上 （A ） A. v ia B. poly _contact C. activ e_contact D. 不确定 MOS 晶体管是一种 控制器件。 （A ） A. 电压 B. 电流 C. 电阻 D. 电容 即使版图中晶体管的尺寸...
