薄膜材料制备技术薄膜材料制备技术ThinFilmMaterialsThinFilmMaterials薄膜材料制备技术薄膜材料制备技术ThinFilmMaterialsThinFilmMaterials北京科技大学材料科学学院唐伟忠Tel:62334144E-mail:wztang@mater.ustb.edu.cn课件下载网址:wztang_teaching@sina.com下载密码:123456第五讲第五讲薄膜材料制备的薄膜材料制备的CVDCVD方法方法PreparationofthinfilmsbyPreparationofthinfilmsbyCVDmethodsCVDmethods提要提要CVDCVD过程中典型的化学过程中典型的化学反应反应CVDCVD过程的热力学过程的热力学CVDCVD过程的动力学过程的动力学CVDCVD过程的数值模拟技术过程的数值模拟技术CVDCVD薄膜沉积装置薄膜沉积装置化学气相沉积(chemicalvapordeposition,CVD)是经由气态的先驱物,通过气相原子、分子间的化学反应,生成薄膜的技术手段化学气相沉积化学气相沉积化学气相沉积的气压环境化学气相沉积的气压环境与PVD时不同,CVD过程的气压一般比较高(随需求不同而不同),因为较高的气压有助于提高薄膜的沉积速率。此时气体的流动状态多处于粘滞流状态气体分子的运动路径不再是直线气体分子在衬底上的沉积几率不再是接近100%,而是取决于气压、温度、气体组成、气体激发状态、薄膜表面状态等多个因素这也决定了CVD薄膜可被均匀地涂覆在复杂零件的表面,而较少受到PVD时阴影效应的影响化学气相沉积的温度范围化学气相沉积的温度范围与PVD时不同,CVD过程的温度一般也比较高(随需求不同而不同),因为较高的温度有助于提高薄膜的沉积速率。此时高温可提供化学反应所需要的激活能化学反应不仅发生在薄膜表面,而且发生在所有温度条件合适的地方即使是在高温下,化学反应所涉及的过程也很复杂:化学反应方向、化学平衡、可逆反应等都是需要考虑的因素化学气相沉积反应的类型热解反应如由SiH4热解沉积多晶Si和非晶Si的反应SiH4(g)Si(s)+2H2(g)(650C)和由羟基镍热解生成金属Ni薄膜的反应Ni(CO)4(g)Ni(s)+4CO(g)(180C)还原反应如利用H2还原SiCl4外延制备单晶硅薄膜的反应SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)(1200C)和由六氟化物制备难熔金属W、Mo薄膜的反应WF6(g)+3H2(g)W(s)+6HF(g)(300C)化学气相沉积反应的类型氧化反应如利用O2作为氧化剂制备SiO2薄膜的氧化反应SiH4(g)+O2(g)SiO2(s)+2H2(g)(450C)和由H2O作为氧化剂制备SiO2薄膜的氧化反应SiCl4(g)+2H2O(g)SiO2(s)+4HCl(g)(1500C)岐化反应如GeI2变价为另一种更稳定的化合物和Ge的反应2GeI2(g)Ge(s)+GeI4(g)(300600C)置换反应如不同化合物中的元素改变结合对象得到SiC的反应SiCl4(g)+CH4(g)SiC(s)+4HCl(g)(1400C)气相输运如将某一物质先在高温处升华2CdTe(s)2Cd(g)+Te2(g)(T1,T2)然后使其在低温处冷凝的可逆反应显然,这实际上是一种利用物理现象的PVD过程,但它在设备、物质传输及反应的热力学、动力学分析方面却完全与CVD过程相类似化学气相沉积反应的类型就象沉积太阳能电池CdTe薄膜的密闭容器升华技术(Close-SpacedSublimation,CSS)制备(Ga,In)(As,P)半导体薄膜的CVD装置的示意图CVD沉积室CVD固态源CVD气体原料废气处理搀杂气体原料载气压力控制部分温度控制部分CVDCVD薄膜的种类薄膜的种类利用CVD方法制备的薄膜可以是:单质(包括金属、半导体,但多数金属宜采用蒸发、溅射方法制备)化合物(如氧化物、硼化物、碳化物、硫化物、氮化物、III-V、II-VI化合物等)薄膜的微观结构可以是:多晶的薄膜单晶的薄膜非晶态的薄膜CVDCVD过程热力学分析的作用过程热力学分析的作用CVD过程热力学分析的局限性反应的可能性并不能保证反应过程一定会高效率地发生,即它不能代替动力学方面的考虑但即使存在着局限性,热力学分析对于选择、确定、优化一个实际的CVD过程仍具有重要的意义CVD过程热力学分析的作用预测薄膜CVD反应的可能性、限度提供优化高温、可逆的CVD反应环境的途径CVD过程热力学分析的依据:物质的标准生成自由能G随温度的变化G<0,即反应可沿正方向自发进行。反之,G>0,反应可沿反方向自发进行相应的元素更活泼复习复习::CVDCVD过程的热力学过...