MOSFET工作原理讲VIP免费

4场效应管放大电路4场效应管放大电路4.1结型场效应管4.2砷化镓金属—半导体场效应管4.3金属—氧化物—半导体场效应管4.4场效应管放大电路4.5各种放大器件电路性能比较4场效应管放大电路场效应管是利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。将控制电压转换为漏电流——互导放大器件。4场效应管放大电路•特点：体积小，重量轻，耗电省，寿命长。具有输入阻抗高、热稳定性好、噪声小、抗辐射、制造工艺简单等优点。•分类：结型场效应管（JFET）金属—氧化物—半导体场效应管（MOSFET）4场效应管放大电路4.1结型场效应管4.1.1JFET的结构和工作原理4场效应管放大电路4场效应管放大电路4场效应管放大电路4场效应管放大电路4场效应管放大电路二、工作原理•栅极与N沟道构成PN结，在N沟道栅极周围形成耗尽层。4场效应管放大电路(1)VGS对iD的影响当VGG0，即反向偏置，PN结耗尽层加宽，N沟道变窄；当VGG加大到一定值VGGVP，N沟道被夹断，iD=0，此时漏-源极间电阻。VP——夹断电压。4场效应管放大电路(2)VDS对iD的影响VGD=VGS-VDS=VP，预夹断！VGS=0，g连s。d,s加电压，此时g,d反偏。4场效应管放大电路P沟道JFET的工作原理4场效应管放大电路4场效应管放大电路4场效应管放大电路4场效应管放大电路4场效应管放大电路4场效应管放大电路4.1.2JFET的特性曲线及参数1．输出特性VDS-iD关系VGS为定值时，iD=ƒ(vDS)，VGS=常数VGS±ΔvGS→iD±ΔiD4场效应管放大电路4场效应管放大电路2．转移特性场效应管是电压控制器件：vGS对iD的控制（VDS为定值时），iD=ƒ(vGS)，VDS=常数。实验证明，iD=IDSS(1-vGS/VP)2(VP≤VGS≤0)gm=δiD/δvGS——互导4场效应管放大电路4场效应管放大电路P沟道JFET的特性曲线4场效应管放大电路P沟道JFET的特性曲线4场效应管放大电路3．主要参数（1）夹断电压VP（2）饱和漏电流IDSS（3）最大漏源电压V(BR)DS（4）最大栅源电压V(BR)GS（5）直流输入电阻RGS（6）低频互导（跨导）gm（7）输出电阻rD（8）最大耗散功率PDM4场效应管放大电路4场效应管放大电路4.2砷化镓金属—半导体场效应管•砷化镓（GaAs）是一种单晶化合物，一种新型半导体，其电子迁移率比硅约大5～10倍。•MESFET•工作原理与结型场效应管类似。•N沟道MESFET具有高速特性，应用广泛。•P沟道MESFET空穴迁移率底，几乎不用。4场效应管放大电路4.3金属—氧化物—半导体场效应管（MOSFET）•利用半导体表面的电场效应进行工作，也称为表面场效应器件。•由于栅极与源极、漏极均无电接触，又称为绝缘栅场效应管。•分N沟道和P沟道两类。•每一类又分增强型和耗尽型两种。4场效应管放大电路4场效应管放大电路4场效应管放大电路4场效应管放大电路4场效应管放大电路4场效应管放大电路4场效应管放大电路4场效应管放大电路4场效应管放大电路4场效应管放大电路4场效应管放大电路4场效应管放大电路N沟道增强型MOSFET的特性曲线4场效应管放大电路4场效应管放大电路4场效应管放大电路五、各种场效应管的比较4场效应管放大电路六、场效应管使用注意事项•P衬底接低电位，N衬底接高电位；特殊电路中，源极与衬底相连。•通常FET的源极与漏极可以互换，其V-I特性没有明显变化，但有些产品出厂时已将源极与衬底相连，此时不能源极与漏极互换。•JFET的栅极电压不能接反，可开路状态下保存；MOSFET各电极短路保存。•焊接时，电烙铁需有外接地线，获断电后焊接。4场效应管放大电路作业P190：4.1.2；4.1.3；4.3.1。4场效应管放大电路4.4场效应管放大电路4场效应管放大电路4.4.1FET的直流偏置电路及静态分析1．直流偏置电路耗尽型：采用自偏置或分压式自偏。相对于电源为负偏。增强型：正向偏置，分压式固定偏置。4场效应管放大电路自偏压电路4场效应管放大电路分压式自偏压电路4场效应管放大电路2．静态工作点的确定根据FET参数IDSS、VP来确定ID、VGSRivVvIiDGSPGSDSSD2)1()()1(2122ggDDgDGSPGSDSSDRRVRRivVvIiP178:例4.4.14场效应管放大电路4.4.2小信号模型分析法1．小信号模型4场效应管放大电路4场效应管放大电路4场效应管放大电路2．放大电路•共源放...