出现过一种降级的电池片，是由于刮刀有缺口，造成三根主栅上都有一条突起的刮痕，容易引起包装碎片和焊接碎片，希望各班引以为戒，发现相似的问题，及时更换刮条。G 档分类1、扩散面放反：Uoc:0.57—0.60 Isc：1 左右 Rs:100-200 左右 Rsh:10 以内，约为 1FF：50 以内（30-40） Irve1:12（也有正常的） Ncell:2%左右主要参数特征：Irev1>12,Rs>100,Isc=1 左右。解释：扩散时下面和背面都成N 型，但背面N 型扩散的结浅，扩散面放反后，原下面的N 型被 Al 掺杂为 P 型，原背面的浅结很容易被烧穿。2、部分扩散：Uoc:0.58—0.60 Isc:3—4 Rs:10—20 Rsh:10 以内FF：50-60 左右 Irev1 接近 12 Ncell:10%左右主要参数特征：Isc 减小，Rsh<5,η=10解释：与上一个情况类似，下面有很多浅的结（被遮住的部分），形成局部烧穿漏电。3、正面粘有铝浆Uoc 0.1 左右 Isc:3 左右 Rs 负的 Rsh:0 Irev1>12Ncell<1% FF:24—25主要参数特征：Rs=-30mΩ, Rsh=0, Irve1>124、N 型片或高度补偿Uoc 0.02-0.06 Isc:5 左右 Rs-20 左右 Rsh:0Ncell：2-3% FF:100—200主要参数特征：Rs<0, Rsh=0, FF>100, Irev1=0.03解释：N 型片背面印刷铝浆后成为 P+型，下面扩散后形成 N+型，从而产生电流。5、方块电阻偏大Uoc 0.60-0.61Isc:4 左右 Rs:20 左右 Rsh:10-20Ncell：10%左右 FF:50—60 Irev1 接近 1主要参数特征：Rs 偏大, Isc 偏小, Rsh 偏小解释：方块电阻不均的直接影响就是薄层电阻，此外应为方块电阻偏大，致使薄层电阻偏大，串联电阻增大。6、方块电阻偏小Uoc 0.2 左右 Isc:3 左右 Rs:-0.07 左右 Rsh:0.2 以下Ncell：1%左右 FF:24 多一点 Irev1>127、没有扩散Uoc 0.0002 左右 Isc:0.03 左右（正常偏低） Rs=0 或为负 Rsh<10 或为 0Ncell：为 0 FF:300-800 Irev1 接近 12 或大于 12主要参数特征：电压和电流基本为 0，串联电阻为 0.解释：没有 P-N 结。8、银浆混合不均匀Uoc 0.62 左右 Isc:4.8 左右 Rs=3-6 Rsh：60-90Ncell：10%左右 FF:50 左右 Irev1<0.2主要参数特征：串联电阻偏大，短路电流偏小，并联电阻偏大解释：玻璃粉偏少，银不能与硅充分结合，从而增大了串联电阻。并联电阻的增大是由于复合中心的减少（一般在金属电极与硅接触的地方会形成复合中心）。9、刻蚀未刻透Uoc 0.57 左右 Isc:1 左右 Rs=0 左右 Rsh：1-2Ncell：1-2%左右 FF:30-...
