Hi3518 硬件设计 用户指南 文档版本 00B 01 发布日期 2012-08-15 Draft 版权所有 © 深圳市海思半导体有限公司2012。保留一切权利。 非经本公司书面许可，任何单位和个人不得擅自摘抄、复制本文档内容的部分或全部，并不得以任何形式传播。 商标声明 、、海思和其他海思商标均为深圳市海思半导体有限公司的商标。 本文档提及的其他所有商标或注册商标，由各自的所有人拥有。 注意 您购买的产品、服务或特性等应受海思公司商业合同和条款的约束，本文档中描述的全部或部分产品、服务或特性可能不在您的购买或使用范围之内。除非合同另有约定，海思公司对本文档内容不做任何明示或默示的声明或保证。 由于产品版本升级或其他原因，本文档内容会不定期进行更新。除非另有约定，本文档仅作为使用指导，本文档中的所有陈述、信息和建议不构成任何明示或暗示的担保。 深圳市海思半导体有限公司 地址： 深圳市龙岗区坂田华为基地华为电气生产中心 邮编：518129 网址： http://w w w .hisilicon.com 客户服务电话： +86-755-28788858 客户服务传真： +86-755-28357515 客户服务邮箱： support@hisilicon.com Draft Hi3518 硬件设计 用户指南 前 言 文档版本 00B01 (2012-08-15) 海思专有和保密信息 版权所有 © 深圳市海思半导体有限公司 iii 前 言 概述 本文档主要介绍Hi3518 芯片方案的硬件原理图设计、PCB 设计、单板热设计建议等。 本文档提供 Hi3518 芯片的硬件设计方法。 产品版本 与本文档相对应的产品版本如下。 产品名称 产品版本 Hi3518 芯片 V100 读者对象 本文档（本指南）主要适用于以下工程师： z 技术支持工程师 z 单板硬件开发工程师 修订记录 修订记录累积了每次文档更新的说明。最新版本的文档包含以前所有文档版本的更新内容。 修订日期 版本 修订说明 2012-08-15 00B01 第 1 次临时版本发布。 DraftDraft Hi3518 硬件设计 用户指南 目 录 文档版本 00B01 (2012-08-15) 海思专有和保密信息 版权所有 © 深圳市海思半导体有限公司 v 目 录 前 言................................................................................................................................................ iii 1 原理图设计建议.......................................................................................................
