5-1 第5 章 三极管及基本放大电路 半导体三极管是一种最重要的半导体器件。它的放大作用和开关作用促使电子技术飞跃发展。场效应管是一种较新型的半导体器件，现在已被广泛应用于放大电路和数字电路中。本章介绍半导体三极管、绝缘栅型场效应管以及由它们组成的基本放大电路。 5.1 半导体三极管 半导体三极管简称为晶体管。它由两个 PN 结组成。由于内部结构的特点，使三极管表现出电流放大作用和开关作用，这就促使电子技术有了质的飞跃。本节围绕三极管的电流放大作用这个核心问题来讨论它的基本结构、工作原理、特性曲线及主要参数。 5.1.1 三极管的基本结构和类型 三极管的种类很多，按功率大小可分为大功率管和小功率管；按电路中的工作频率可分为高频管和低频管；按半导体材料不同可分为硅管和锗管；按结构不同可分为 NPN 管和PNP管。无论是NPN 型还是PNP 型都分为三个区，分别称为发射区、基区和集电区，由三个区各引出一个电极，分别称为发射极（E）、基极（B）和集电极（C），发射区和基区之间的PN 结称为发射结，集电区和基区之间的PN 结称为集电结。其结构和符号见图 5-1，其中发射极箭头所示方向表示发射极电流的流向。在电路中，晶体管用字符 T 表示。具有电流放大作用的三极管，在内部结构上具有其特殊性，这就是：其一是发射区掺杂浓度大于集电区掺杂浓度，集电区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度；其二是基区很薄，一般只有几微米。这些结构上的特点是三极管具有电流放大作用的内在依据。 （a） (b) 图 5-1 两类三极管的结构示意图及符号 基极B T C E B T C E B 基极B 发射极E 发射极E 集电极C 集电极C N 集电区 P 基区 N 发射区 P 集电区 N 基区 P 发射区 5-2 5.1.2 三极管的电流分配关系和放大作用 现以NPN 管为例来说明晶体管各极间电流分配关系及其电流放大作用，上面介绍了三极管具有电流放大用的内部条件。为实现晶体三极管的电流放大作用还必须具有一定的外部条件，这就是要给三极管的发射结加上正向电压，集电结加上反向电压。如图5-2，V BB 为基极电源，与基极电阻R B及三极管的基极B、发射极E 组成基极——发射极回路（称作输入回路）,V BB 使发射结正偏，V CC 为集电极电源，与集电极电阻R C 及三极管的集电极C、发射极E 组成集电极——发射极回路（称作输出回路），V CC使集电结反偏。图中，发射极E 是输入输出回路的公共端，因此称这种接法为共发...
