精品文档---下载后可任意编辑蓝宝石衬底上以 AlaN/GaN 材料为基础的 ACT 器件的设计的开题报告一、讨论背景和意义近年来，激光器和 LED 器件的需求量不断增加，而且还不断地涌现出新的应用领域，如：生物探测、光通信、局域网、光存储、红外探测、激光制导、微波发射、雷达系统等，因此设计一种集成度高、性能稳定的光电子器件刻不容缓
蓝宝石（Sapphire）是一种具有优异物理及光学性能的材料，在光电子器件领域中被广泛应用，如：便携式荧光光源、LED 芯片、激光二极管、光通信等
在制备蓝宝石衬底上的光电子器件时，发现其表面质量非常高、纯度高、导热性好、稳定性佳等优点，且非常适合高速器件的制备
蓝宝石衬底上的 ACT（Aluminum Nitride / Gallium Nitride Composite Transistor）器件，在航空、航天、军事等领域也有着广泛的应用，具有功率密度高、可靠性高、输出功率大、性能稳定等特点，因此本讨论针对蓝宝石衬底上的 ACT 器件的设计是具有很高的讨论价值和有用意义的
二、讨论内容和技术路线本讨论拟设计一种以 AlaN/GaN 材料为基础的 ACT 器件，并对其性能进行讨论和分析
具体讨论内容和技术路线如下：1
系统地讨论和分析 AlaN/GaN 材料的物理和化学性质，确定其在ACT 器件中的应用方案；2
设计和优化 ACT 器件的结构和工艺流程，采纳多种光刻、薄膜沉积、离子成型等技术制备器件；3
利用光刻技术将器件的金属电极和源极等部分制备好，并对其进行表面处理；4
利用薄膜沉积技术制备 AlaN/GaN 材料，并进行原子层沉积（ALD）；5
使用离子成型技术对器件进行加工，并用光学显微镜、电子显微镜、XRD 等手段对器件进行测试和分析，探究其物理和电学特性；6
对实验结果进行统计和分析，得出 ACT 器件的性能和优化方案
