精品文档---下载后可任意编辑IGBT 动态参数IGBT 模块动态参数是评估 IGBT 模块开关性能如开关频率、开关损耗、死区时间、驱动功率等的重要依据，本文重点讨论以下动态参数：模块内部栅极电阻、外部栅极电阻、外部栅极电容、IGBT 寄生电容参数、栅极充电电荷、IGBT 开关时间参数，结合 IGBT 模块静态参数可全面评估 IGBT 芯片的性能。RGint：模块内部栅极电阻:为了实现模块内部芯片均流，模块内部集成有栅极电阻。该电阻值应该被当成总的栅极电阻的一部分来计算 IGBT 驱动器的峰值电流能力。RGext：外部栅极电阻：外部栅极电阻由用户设置，电阻值会影响 IGBT 的开关性能。上图中开关测试条件中的栅极电阻为 Rgext 的最小推举值。用户可通过加装一个退耦合二极管设置不同的 Rgon 和 Rgoff。已知栅极电阻和驱动电压条件下，IGBT 驱动理论峰值电流可由下式计算得到，其中栅极电阻值为内部及外部之和。实际上，受限于驱动线路杂散电感及实际栅极驱动电路非理想开关特性，计算出的峰值电流无法达到。假如驱动器的驱动能力不够，IGBT 的开关性能将会受到严重的影响。最小的 Rgon 由开通 di/dt 限制，最小的 Rgoff 由关断 dv/dt 限制，栅极电阻太小容易导致震荡甚至造成IGBT 及二极管的损坏。Cge：外部栅极电容：高压 IGBT 一般推举外置 Cge 以降低栅极导通速度，开通的 di/dt 及 dv/dt 被减小，有利于降低受 di/dt 影响的开通损耗。IGBT 寄生电容参数：IGBT 寄生电容是其芯片的内部结构固有的特性，芯片结构及简单的原理图如下图所示。输入电容 Cies 及反馈电容 Cres 是衡量栅极驱动电路的根本要素，输出电容 Coss 限制开关转换过程的 dv/dt，Coss 造成的损耗一般可以被忽略。其中：Cies = CGE + CGC：输入电容（输出短路）Coss = CGC + CEC：输出电容（输入短路）Cres = CGC：反馈电容（米勒电容）动态电容随着集电极与发射极电压的增加而减小，如下图所示。精品文档---下载后可任意编辑手册里面的寄生电容值是在 25V 栅极电压测得，CGE 的值随着 VCE 的变化近似为常量。CCG 的值强烈依赖于 VCE 的值，并可由下式估算出：IGBT 所需栅极驱动功率可由下式获得：或者QG：栅极充电电荷：栅极充电电荷可被用来优化栅极驱动电路设计，驱动电路必须传递的平均输出功率可通过栅极电荷、驱动电压及驱动频率获得，如下式：其中的 QG为设计中实际有效的栅极电荷，依赖于驱动器输出电压摆幅，...
