精品文档---下载后可任意编辑MOCVD 反应室温度场的讨论的开题报告一、选题背景MOCVD（金属有机化学气相沉积）是一种常用的制备 III-V 族化合物半导体薄膜的方法。在 MOCVD 过程中，金属有机前驱体在与载气和反应气体混合后，被输送到反应室中并在衬底表面沉积形成薄膜。反应室温度是影响 MOCVD 薄膜生长速率、质量及晶体结构的主要参数之一。保持反应室温度的均匀性，对于保证薄膜生长的均匀性和质量具有重要意义。因此，对反应室温度场的讨论，具有重要的理论和实际应用意义。二、讨论目的本讨论的目的是通过数值模拟，讨论 MOCVD 反应室温度场的分布和变化规律，对 MOCVD 薄膜生长的均匀性和质量进行预测和控制。三、讨论内容1.构建 MOCVD 反应室的数值模型2.分析反应室在不同工艺条件下的温度场分布规律3.探究反应室温度场分布对薄膜生长的影响4.提出优化反应室温度场分布的方案四、讨论方法1.建立 MOCVD 反应室热传递数学模型2.使用 ANSYS 等通用有限元分析软件进行计算3.根据计算结果分析反应室温度场分布规律4.使用 CVD 生长装置进行实验验证五、预期成果1.建立 MOCVD 反应室热传递数学模型2.猎取在不同工艺条件下 MOCVD 反应室的温度场分布规律3.明确反应室温度场分布对薄膜生长的影响机制4.提出优化反应室温度场分布的方案精品文档---下载后可任意编辑六、讨论意义1.为进一步控制 MOCVD 薄膜生长的均匀性和质量提供有力的理论支撑和实验依据2.提高 MOCVD 薄膜生长的效率和生产效益3.具有广泛的理论指导和应用前景。七、讨论进度安排1. 讨论背景和选题理由、目的(2024 年 05 月-2024 年 06 月)2. 建立热传递数学模型(2024 年 06 月-2024 年 07 月)3. 计算 MOCVD 反应室温度场的数值模拟(2024 年 07 月-2024 年08 月)4. 对计算结果进行分析与讨论(2024 年 08 月-2024 年 09 月)5. 提出优化方案(2024 年 09 月-2024 年 10 月)6. 论文写作(2024 年 10 月-2024 年 3 月)7. 论文答辩(2024 年 4 月)八、参考文献1. Huang Wanxia, Jin zhongkai, Shen Honglie, et al. Influence of non-uniform temperature on the deposition rate of thin film in MOCVD process [J]. Journal of Materials Science, 2024 (15): 623-627.2. 杨伟罡, 崔洪娟, 戴维, 等. 气流参数、反应温度及时间对MOCVD GaN 薄膜生长的影响[J]. 半导体技术, 2024 (8): 16-19.3. Topalović M R, Rakićević L J, Oprić G S, et al. Optical properties of ZnO thin films grown by MOCVD[J]. Ceramics International, 2024, 44(13): 15056-15060.
