精品文档---下载后可任意编辑Ⅲ 族氮化物半导体的自发极化及铁电体Ⅲ族氮化异质结构的讨论的开题报告一、讨论背景与意义：随着半导体技术及材料学科的进展，Ⅲ族氮化物半导体引起了学者们极大的关注。Ⅲ族氮化物半导体具有高电子迁移率、大迁移率差、高熔点、高硬度、高脆性模量、大能隙等诸多优异的物理特性，以及优秀的光电功能，被视为讨论新型光电器件的理想材料。Ⅲ族氮化物半导体具有自发极化现象，其性质有着诸多重要影响，对于讨论其光电性质及应用极为重要。此外，铁电体 III 族氮化异质结构作为一种新型材料，在内部电荷跨越结构产生电偶极矩方面具有独特的优势。采纳异质结构可以有效的调控Ⅲ族氮化物半导体的电性质，进而有效提高新型器件的光电性能，特别是在光电传感和光电调制方面的应用。因此，开展Ⅲ族氮化物半导体自发极化及铁电体 III 族氮化异质结构的讨论既有重大科学意义，也有重要的工程应用价值。二、讨论内容与方法：1.探究Ⅲ族氮化物的自发极化特性：通过使用第一性原理计算方法，讨论Ⅲ族氮化物半导体自发极化特性，进一步探究其内在机理与物理特性。2.讨论铁电体 III 族氮化异质结构：采纳化学气相沉积技术合成铁电体 III 族氮化异质结构。通过使用高分辨谱仪和拉曼光谱仪等分析仪器，讨论其结构、光学特性、电学特性等。3.探究铁电异质结构对电荷传输的调控作用：通过调控铁电异质结构中电子输运载流子的行为和特性，讨论异质结构对电荷传输的调控作用。三、预期成果：1.揭示Ⅲ族氮化物自发极化特性的机理与物理特性。2.建立铁电体 III 族氮化异质结构的综合表征手段。3.讨论得到铁电异质结构对电荷传输的调控规律。四、讨论时间表：精品文档---下载后可任意编辑阶段 1：文献调研与理论计算，时间：1 个月。阶段 2：化学气相沉积制备铁电体 III 族氮化异质结构，时间：3 个月。阶段 3：结构、光学特性、电学特性等综合表征，时间：6 个月。阶段 4：铁电异质结构对电荷传输的调控作用讨论，时间：12 个月。五、讨论经费：目前本讨论还处于策划和申请阶段，所需经费估计为 80 万元。六、参考文献：1. Kong, W., Sarma, D. D., & Jena, D. (2024). Spontaneous polarization and piezoelectric constants of III–V nitrides. Physical Review B, 70(23), 235209.2. 文新发，郭永科等. III 族氮化物半导体异质结构光电特性讨论. 半导体光电，2024，31（6）：1087-1090.3. Shin, J. C., Ahn, B. D., Kim, M. H., et al. (2001).Analysis of polarization effects on device performance for AlGaN/GaN heterojunction FETs. Solid-State Electronics, 45(10), 1611-1616.
