精品文档---下载后可任意编辑一维及准一给无序体系电子输运性质讨论的开题报告题目：一维及准一维无序体系电子输运性质讨论讨论背景和意义：一维和准一维无序体系是凝聚态物理领域中讨论的重点，也是纳米电子学、自旋电子学、量子计算等新领域的基础。由于在这些无序体系中，电子之间的散射导致了电流的局域化，因此理解和控制电子输运性质是目前讨论热点。本次讨论旨在探究不同一维和准一维无序体系的电子输运性质，尤其是非平衡态时的输运过程，并探寻其在未来电子器件设计中的应用。讨论内容：1. 对于不同一维和准一维无序体系（如周期势、位置随机性等），建立相应的理论模型，探究其基本电子结构和输运性质。2. 对于一维和准一维无序体系中的电子运动，讨论其输运性质（如电导、热导等）随温度、电子密度、电场强度、磁场等条件的变化规律。3. 讨论非平衡态时的输运过程，探究其输运性质的量子分子动力学演化，探讨电子输运的耗散机制。讨论方法：1. 建立合适模型: 利用紧束缚模型或 DFT 等方法，对讨论对象建立相应的理论模型。2. 计算输运性质:采纳传输矩阵法或其他计算方法，计算不同输运性质的数值结果。3. 讨论输运过程: 采纳数值模拟方法（例如量子蒙特卡罗法）模拟非平衡态时的输运过程。预期成果：讨论将探究一系列不同一维和准一维无序体系电子输运性质的规律，揭示其耗散机制，为制备高性能未来电子器件提供理论基础。参考文献：[1] L. W. Wang, S. G. Louie, “Electron Transport in Nanoscale Systems”,Annual Review of Materials Research, 2024, 41: 337-367.精品文档---下载后可任意编辑[2] M. Bockrath, “Single-Molecule Electronics”,Nature Nanotechnology, 2024, 9: 859–866.[3] C. Bai, X. Wang, W. Yang, J. Xiao, “Electronic Transport Properties of Single-Atom Junctions”,Materials Today, 2024, 20: 119-130.
