第一章 微电子工艺基础绪论 1、描述分立器件和集成电路的区别 ①分立器件：是由二极管、三极管等独立的元器件组成的，一般只能完成单一功能， 体积庞大。 ②集成电路：把由若干个晶体管、电阻、电容等器件组成的、实现某种特定功能的电子线路，集中制造在一块小小的半导体芯片上，大体上可以分为三类，半导体集成电路，混合集成电路及薄膜集成电路。半导体集成电路又可以分为双极型集成电路和金属－氧化物－半导体集成电路。优点： A:降低互连的寄生效应； B:可充分利用半导体晶片的空间和面积； C:大幅度降低制造成本。 2、列举出几种 pn结的形成方法并说出平面工艺的特点 ①合金结方法 A 接触加热：将一个 p 型小球放在一个 n 型半导体上，加热到小球熔融 B 冷却：p 型小球以合金的形式掺入半导体底片，冷却后，小球下面形成一个再分布结晶区，这样就得到了一个 pn 结。 缺点：不能准确控制 pn 结的位置。 ②生长结方法 半导体单晶是由掺有某种杂质（例如 P 型）的半导体熔液中生长出来的。 缺点：不适宜大批量生产。 ③扩散结 优点：扩散结结深能够精确控制。 ④二氧化硅薄膜的优点 A：作为掩蔽膜，有效的掩蔽大多数杂质的扩散 B：提高半导体几何图形的控制精度 C：钝化半导体器件表面，提高了器件的稳定性。 ⑤平面工艺：利用二氧化硅掩蔽膜，通过光刻出窗口控制几何图形进行选择性扩散形成pn 结 3、制造半导体器件的四个阶段 ①.材料准备 ②晶体生长与晶圆准备 ③.芯片制造 ④.封装 4、解释集成度的概念并根据集成度将集成电路分类 概念：指单块芯片上所容纳的允许元件数目。集成度越高，所容纳元件数目越多 分类 门的个数（集成度） 典型的集成电路 小规模 最多 1 2 个 逻辑门、触发器 中规模 1 2 -1 9 计数器、加法器 大规模 1 0 0 -9 9 9 9 小型存储器、门阵列 超大规模 1 0 0 0 0 -9 9 9 9 9 大型存储器、微处理器 甚大规模 1 0 0 0 0 0 以上 可编程逻辑器件、多功能专用集成电路 5、微电子工艺的特点 ①高技术含量：设备先进、技术先进 ②高精度：光刻图形的最小线条尺寸在亚微米量级，制备的介质薄膜厚度也在纳米量级，而精度更在上述尺度之上。 ③超纯：指工艺材料方面，如衬底材料 Si、Ge 单晶纯度达 11 个 9。 ④超净：环境、操作者、工艺三个方面的超净，VLSI 在 100 级超净室、10 级超净台中制作 ⑤大批量、低成本： ...
