电子 1 模拟电子主要知识点整理 一、半导体 N 型半导体多数载流子为自由电子，P 型半导体多数载流子为空穴。 1、限幅电路 a、上限幅电路： b、下限幅电路： + + + + - a - - b - 限幅电压为 E ,输入输出波形为： 限幅电压为 E，输入输出波形为： 2、发光二极管 发光二极管简称 LED，是一种直接将电能转化为光能的的器件。当管子被施加正向电压时，LED 发光。 3、发光二极管的正、反向电阻均比普通二极管大得多，一般用万用表的 R*1 挡至 R*1K挡均不能测试到发光二极管的发光情况，而 R*10K 挡使用 15V 的电池，能把有的发光二极管点亮。 4、晶体管 三极管具有电流放大作用，电流放大作用的内部条件为： a、发射区掺杂的杂志浓度远高于基区和集电区 b、集电结面积大于发射结面积 c、基区做得很薄 外部条件为；发射结正偏，集电结反偏 晶体管的特性曲线： VD E E R VD R u i u o u i u o 电子 2 1）、截止区：ib=0 以下的区域称为截止区，截止区的特点是集电结与发射结均反偏，三电极电流均为 0 2）、放大区：放大区处于曲线近似水平部分，晶体管的发射结正偏，集电结反偏。此时 ic=βib 3）、饱和区：将 uCE≤ uBE 时的区域称为饱和区。此时，发射结和集电结均处于正向偏置，晶体管处于饱和区时，ic由外电路决定，而与 ib无关。此时对应的 uCE值称为饱和压降，用UCES 表示。此时晶体管没有放大功能 注：晶体管在电路中既可以作为放大器使用（工作在放大区），又能作为开关使用（工作在饱和区或截止区）。 晶体管的主要参数 电流放大系数：共发射极直流电流放大系数 β=BCBOCIII ≈BCII 共发射极交流电流放大系数 β=BCII 晶体管是利用基极电流来控制集电极电流的，是电流控制器件 场效应晶体管是一种电压控制器件 绝缘栅场效应晶体管是金属-氧化物-半导体绝缘栅场效应晶体管，简称 MOS 管或 MOSFET 二、放大电路 电路分析 静态分析：BCCBBEQCCBQRURUUI BQCQII CCQCCCEQRIUU 共发射极放大电路 直流通路 交流通路 电子 3 集射电压UCES 有CCCCCESCCCSRURUUI Rbe=300Ω+(1+β)EQIm V26 BCCBBECCBRVRUVI BQCQII CCCCCERIVU Au=i..UUO =-BEbLCcRIRRI)//(=beLLCRRRRRbe)//(（式中负号表示输出电压与输入电压相位相反） Ri=RB//Rbe，当不接负载 RL时 Au=-beRRC，通常 RB>>Rbe，Ri≈Rbe...
