第1页共11页编号:时间:2021年x月x日书山有路勤为径,学海无涯苦作舟页码:第1页共11页《电子技术基础》复习题电子元件一、单项选择题:在下列各题中,将唯一正确的答案代码填入括号内1、在同一测试条件下,测得三个同型号二极管的参数如下表所示,其中性能最好的一个二极管是()。序号正向电流(正向电压相同)反向电流(反向电压相同)反向击穿电压(a)(b)(c)100mA100mA100mA826200V200V200V2、图中已标出各硅晶体管电极的电位,判断处于截止状态的晶体管是()。3、当晶体管的集电极电流IC超过其最大允许值ICM时,其后果为()。(a)晶体管一定损坏(b)不一定损坏、但要下降(c)不一定损坏、但要升高4、电路如图所示,二极管D的正向压降为0.6V,反向工作峰值电压URWM=100V,反向峰值电流IRM=10A,电源US=100V,负载电阻RL=10k,则电压uO为()。(a)0.6V(b)10V(c)0.1V1V3V3V0V0.5V0.7V10V4V9.7V5.3V6V2.3V(a)(b)(c)(d)第2页共11页第1页共11页编号:时间:2021年x月x日书山有路勤为径,学海无涯苦作舟页码:第2页共11页5、测得某一PNP硅管三个极的电位是:VB=-3.2V,VE=-2.5V,VC=-7V,则该管工作在()。(a)线性放大状态(b)饱和工作状态(c)截止工作状态6、低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于()。(a)(b)(c)7、PNP型和NPN型晶体管,其发射区和集电区均为同类型半导体(N型或P型)。所以在实际使用中发射极与集电极()。(a)可以调换使用(b)不可以调换使用(c)PNP型可以调换使用,NPN型则不可以调换使用8、电路如图所示,设电压表V的内阻为无穷大,R=10kW,二极管D的型号为2CP10,则V的读数约为()。(a)0.7V(b)0.3V(c)1V9、电路如图所示,二极管为同一型号的理想元件,电阻R=4k,电位uA=1V,uB=3V,则电位uF等于()。(a)1V(b)3V(c)12V第3页共11页第2页共11页编号:时间:2021年x月x日书山有路勤为径,学海无涯苦作舟页码:第3页共11页10、电路如图1所示,二极管D为理想元件,ui=6sintV如图2所示,U=3V,则输出电压uO的波形为图3中()。第4页共11页第3页共11页编号:时间:2021年x月x日书山有路勤为径,学海无涯苦作舟页码:第4页共11页36uOV/R3691图2图ttttt3图DuOui63636336uOV/uOV/uOV/(d)(c)(b)(a)+-+-UuiV/00000+-第5页共11页第4页共11页编号:时间:2021年x月x日书山有路勤为径,学海无涯苦作舟页码:第5页共11页11、电路如图所示,D为硅二极管,根据所给出的电路参数判断该管为()。(a)正偏(b)反偏(c)零偏12、工作在饱和状态的PNP型晶体管,其三个极的电位应为()。(a)VE>VB,VC>VB,VE>VC(b)VE>VB,VCVC(c)VB>VE,VBVC二、填空题:1、稳压管电路如图所示,稳压管DZ1的稳定电压UZ1=12V,DZ2的稳定电压为UZ2=6V,则电压UO等于。2、电路如图所示,已知uI=3V,则晶体管T此时工作在状态。12V10k20k15kD15k第6页共11页第5页共11页编号:时间:2021年x月x日书山有路勤为径,学海无涯苦作舟页码:第6页共11页3、电路如图所示,二极管为理想元件,=3sintV,U=3V,当=0瞬间,输出电压uO等于。4、电路如图所示,全部二极管均为理想元件,输出电压uO为。5、电路如图所示,设二极管,为理想元件,试计算电路中电流=,=。6、晶体管处于截止状态时,集电结和发射结的偏置情况为发射结,集电结。uiRUDuO+-+-+-0VD2D16V12V6kD412V6kD3R1R28VuO-+第7页共11页第6页共11页编号:时间:2021年x月x日书山有路勤为径,学海无涯苦作舟页码:第7页共11页7、电路如图所示,,D2均为硅管(正向压降0.7V),D为锗管(正向压降0.3V),U=6V,忽略二极管的反向电流,则流过D1、D2的电流分别为和。8、晶体管的电流放大系数是指。9、已知某晶体管的穿透电流ICEO=0.32mA,集基反向饱和电流ICBO=4,如要获得2.69mA的集电极电流,则基极电流IB应为。10、电路如图所示,稳压管的稳定电压UZ=6V,电源US=4V,则负载RL两端电压UL为。11、电路如图所示,稳压管DZ正向压降视为零,它的稳定电压为7V,则回路中的电流等于。三、计算题:电路如图所示,试分析当时,哪些二极管导通?当时,哪些二极管导通?(写出分析过程并设二极管正向压降为)。2....