第1页共11页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第1页共11页《电子技术基础》复习题电子元件一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内1、在同一测试条件下，测得三个同型号二极管的参数如下表所示，其中性能最好的一个二极管是（）。序号正向电流（正向电压相同）反向电流（反向电压相同）反向击穿电压(a)(b)(c)100mA100mA100mA826200V200V200V2、图中已标出各硅晶体管电极的电位，判断处于截止状态的晶体管是（）。3、当晶体管的集电极电流IC超过其最大允许值ICM时，其后果为（）。(a)晶体管一定损坏(b)不一定损坏、但要下降(c)不一定损坏、但要升高4、电路如图所示，二极管D的正向压降为0.6V，反向工作峰值电压URWM=100V，反向峰值电流IRM=10A，电源US=100V，负载电阻RL=10k，则电压uO为（）。(a)0.6V(b)10V(c)0.1V1V3V3V0V0.5V0.7V10V4V9.7V5.3V6V2.3V(a)(b)(c)(d)第2页共11页第1页共11页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第2页共11页5、测得某一PNP硅管三个极的电位是：VB=-3.2V，VE=-2.5V，VC=-7V，则该管工作在（）。(a)线性放大状态(b)饱和工作状态(c)截止工作状态6、低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于（）。(a)(b)(c)7、PNP型和NPN型晶体管，其发射区和集电区均为同类型半导体（N型或P型）。所以在实际使用中发射极与集电极（）。(a)可以调换使用(b)不可以调换使用(c)PNP型可以调换使用，NPN型则不可以调换使用8、电路如图所示，设电压表V的内阻为无穷大，R=10kW，二极管D的型号为2CP10，则V的读数约为（）。(a)0.7V(b)0.3V(c)1V9、电路如图所示，二极管为同一型号的理想元件，电阻R=4k，电位uA=1V，uB=3V，则电位uF等于（）。(a)1V(b)3V(c)12V第3页共11页第2页共11页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第3页共11页10、电路如图1所示，二极管D为理想元件，ui=6sintV如图2所示，U=3V，则输出电压uO的波形为图3中（）。第4页共11页第3页共11页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第4页共11页36uOV/R3691图2图ttttt3图DuOui63636336uOV/uOV/uOV/(d)(c)(b)(a)+-+-UuiV/00000+-第5页共11页第4页共11页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第5页共11页11、电路如图所示，D为硅二极管，根据所给出的电路参数判断该管为()。(a)正偏(b)反偏(c)零偏12、工作在饱和状态的PNP型晶体管，其三个极的电位应为（）。(a)VE>VB，VC>VB，VE>VC(b)VE>VB，VCVC(c)VB>VE，VBVC二、填空题：1、稳压管电路如图所示，稳压管DZ1的稳定电压UZ1=12V，DZ2的稳定电压为UZ2=6V，则电压UO等于。2、电路如图所示，已知uI=3V，则晶体管T此时工作在状态。12V10k20k15kD15k第6页共11页第5页共11页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第6页共11页3、电路如图所示，二极管为理想元件，=3sintV，U=3V，当=0瞬间，输出电压uO等于。4、电路如图所示，全部二极管均为理想元件，输出电压uO为。5、电路如图所示，设二极管，为理想元件，试计算电路中电流=，=。6、晶体管处于截止状态时，集电结和发射结的偏置情况为发射结，集电结。uiRUDuO+-+-+-0VD2D16V12V6kD412V6kD3R1R28VuO-+第7页共11页第6页共11页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第7页共11页7、电路如图所示，，D2均为硅管（正向压降0.7V），D为锗管（正向压降0.3V），U＝6V，忽略二极管的反向电流，则流过D1、D2的电流分别为和。8、晶体管的电流放大系数是指。9、已知某晶体管的穿透电流ICEO=0.32mA，集基反向饱和电流ICBO=4，如要获得2.69mA的集电极电流，则基极电流IB应为。10、电路如图所示，稳压管的稳定电压UZ=6V，电源US=4V，则负载RL两端电压UL为。11、电路如图所示，稳压管DZ正向压降视为零，它的稳定电压为7V，则回路中的电流等于。三、计算题:电路如图所示，试分析当时，哪些二极管导通？当时，哪些二极管导通？（写出分析过程并设二极管正向压降为）。2....
