《射频识别原理与应用》第八章13.56MHzRFID技术射射射射射射射射8.2MIFARE技术主要内容8.3PCD基站芯片及应用本章学习目标本章学习目标：熟悉H4006、MCRF355芯片的特点和应用设计熟悉MIFARE技术的特点及M1卡的组成结构熟悉MFRC500阅读器芯片的技术性能、内部结构及工作原理。8.113.56MHz射频存储器应答器8.2MIFARE技术主要内容8.3PCD基站芯片及应用13.56MHz射频存储器应答器按存储器的类型分：ROM、EEPROM两大类。H4006（EMMICROELECTRONIC-MARINSA公司产品）片内带有ROM类存储器，是只读应答器；；MCRF355/360芯片（Microchip公司产品）集成的存储器是EEPROM，以接触式方式编程，在射频工作时为只读方式。这两个应答器都是在应答器进入阅读器工作距离有效范围时即送出信息数据（TTF，TagTalkFirst方式）。13.56MHzRFID应答器8.113.56MHz射频存储器应答器补充读写器和电子标签的工作次序。通常有两种时序：一种是读写器先发言（RTF,ReaderTalkFirst）：另一种是标签先发言（TTF，TagTalkFirst）。RTF方式：电子标签只有接收到读写器特殊命令才发送数据。TTF方式：电子标签进入读写器的能量场主动发送自身系列号。TTF方式的射频标签具有识别速度快等特点，适用于需要高速应用的场合。另外，TTF方式在噪声环境中更稳健，在处理标签数量动态变化的场合也更为实用，因此，更适于工业环境的跟踪和追踪应用。8.113.56MHz射频存储器应答器8.113.56MHz射频存储器应答器8.1.1H4006芯片8.113.56MHz射频存储器应答器8.1.1H4006芯片１、技术性能工作频率范围:10-15MHZ工作选用频率:13.56MHZ数据传输速率：26.484kbps内部存储器:64位,可编程信息传输方式：负载调试编码方式:密勒码（Miller）芯片内含谐振回路的谐振电容和滤波电容2、引脚功能1.C1、C2--天线连接端2.Test--测试引脚3.Vdd,Vss--电源H4006芯片在射频工作时，仅使用c1和c2，外接电感L,构成谐振回路。谐振电容已集成于片内，因此当工作频率为13.56MHz时，L的值为1.4uH8.113.56MHz射频存储器应答器2、引脚功能8.113.56MHz射频存储器应答器3、内部电路组成组成：时钟提取、分频链、序列电路、密勒码产生器、整理器、调制器、电路管理、存储器8.113.56MHz射频存储器应答器3、内部电路组成整流器将耦合的射频（13.56MHz）信号进行整流并经滤波电容C2平滑后为芯片提供能量；电源管理电源管理电路将在电源电压达到内部电路工作电压时激活卡内电路；分频链将13.56MHz信号被分频链电路分频（分频系数为512），产生26.484kHz的时钟8.113.56MHz射频存储器应答器3、内部电路组成密勒码编码器将NRZ码变换为密勒码；调制器将将密勒码以速率26.484kbps通过负载调制方式输出；存储器64位8.113.56MHz射频存储器应答器4、工作原理说明当整流电路将耦合的射频（13.56MHz）信号进行整流并经滤波电容C2平滑后，电源管理电路将在电源电压达到内部电路工作电压时激活卡内电路，13.56MHz信号被分频链电路分频（分频系数为512），可产生26.484kHz的时钟，此时钟即是数据传送的波特率。如果希望将分频系数定为128、256、1024、2048、4096或8192，则需预先选定。存储在LASERROM中的信息（64位）经读出后，可通过Miller码产生器产生Miller码，同时可用该Miller码进行负载调制，并将存储信息送出。8.113.56MHz射频存储器应答器5、输出序列按照如下的序列结构循环输出。该输出序列为一个82位的标准信息结构加9位空隙。9位1位16位64位1位长度空隙终止位CRC数据起始位序列结构组成6、应用应用领域:身份识别、工业生产、产品识别8.113.56MHz射频存储器应答器8.1.2MCRF355/360芯片１、技术性能工作频率为13.56MHz;具有防冲突能力;数据传送采用曼彻斯特编码;数据调制频率为70kHz;采用接触式编程,编程后为只读器件;内含100pF谐振电容;采用低功耗CMOS电路设计;采用PDIP或SOIC封装8.113.56MHz射频存储器应答器8.1.2MCRF355/360芯片2、引脚功能●VPRG:编程和读测试●CLK:时钟脉冲输入●VDD:直流电源输入●VSS:接地;接电感L2●Ant.A:连接外部谐振电感L1●Ant.B:连接外...
