第三节功函数和接触电势差本节主要内容:4
2接触电势差接触电势:两块不同的金属A和B相接触,或用导线连接起来,两块金属就会彼此带电产生不同的电势VA和VB,这称为接触电势
B+++------+++---VAVB接触电势差A+++金属中电子的势阱和脱出功EFE0电子在深度为E0的势阱内,要使费米面上的电子逃离金属,至少使之获得=E0-EF的能量,称为脱出功又称为功函数
脱出功越小,电子脱离金属越容易
3功函数和接触电势差4
功函数发射电流密度:TkATjBe22
里查孙-德西曼公式热电子发射:电子从外界获得热能逸出金属的现象称为热电子发射
---里查孙-德西曼公式根据实验数据作图,则得到一条直线
由此可确定金属的脱出功
TTj/1~)/ln(2电流密度:某点电流密度大小等于通过与该点场强方向垂直的单位截面积的电流强度
电流强度:等于单位时间内通过导体某一横截面的电量
StqSIjdddddStvv经典理论求电流密度
vnej设金属中电子运动速度的平均值为
单位体积内自由电子数为n,电子电量为-e,可以证明电流密度:vStvv电流密度Stvneqvnej选取横截面为S,长度为的小圆柱,tvt时间内通过S截面的电量为:按照索末菲自由电子论如何求热电子发射电流密度呢
nvejxdv为电子运动速度,为单位体积中速度在之间的电子数
vv~vdnd分布函数f(E)中电子状态数kd中电子状态数vd中电子数vd可到达金属表面的电子数0221Emvx电流密度nvejxd可到达金属表面的电子数间的状态数:kk~kdkVCdπ23间的状态数:vv~vd221)(,1)(mvkEmkEkvk电子速度yyxCkkkVdddπ23xxvmkyyvmkzzvmkyy