ＭｉｃｒｏｎａｎｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＶｏｌ．４９Ｎｏ．４Ａｐｒｉｌ２０１２干冰微粒喷射清洗技术郭新贺，王磊，景玉鹏（中国科学院微电子研究所，北京１０００２９）摘要：简要介绍了随着工艺节点的缩小，传统ＲＣＡ清洗方法在硅片清洗工艺中的局限性和弊端，进而提出了以ＣＯ２为介质的新型干冰微粒喷射清洗方法。从ＣＯ２的物理特性出发，论述了ＣＯ２流经喷枪后形成干冰微粒的机理，并简要分析了干冰微粒喷射技术对颗粒污染物和有机污染物的清洗机理。在此基础上，介绍了自主研发的一台基于干冰微粒喷射技术的半导体清洗设备，对该设备的结构和各部分的作用作了简要介绍，论述了使用该设备对硅片进行清洗的工艺流程。通过对比实验发现，采用压强为８ＭＰａ、纯度为５Ｎ的ＣＯ２作为气源，喷嘴前压强设置为１１ＭＰａ，使用该设备可以达到很好的清洗效果。关键词：ＲＣＡ清洗；硅片清洗；ＣＯ２；干冰微粒喷射；清洗设备中图分类号：ＴＮ３０５．９７文献标识码：Ａ文章编号：１６７１－４７７６（２０１２）０４－０２５８－０５ＣａｒｂｏｎＤｉｏｘｉｄｅＳｎｏｗＪｅｔＣｌｅａｎｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＧｕｏＸｉｎｈｅ，ＷａｎｇＬｅｉ，ＪｉｎｇＹｕｐｅｎｇ（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００２９，Ｃｈｉｎａ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｗｉｔｈｔｈｅｄｒａｓｔｉｃｓｈｒｉｎｋｏｆｔｈｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｎｏｄｅ，ｔｈｅｌｉｍｉｔａｔｉｏｎｓａｎｄｓｈｏｒｔｃｏｍｉｎｇｓｏｆｔｒａｄｉｔｉｏｎａｌＲＣＡｃｌｅａｎｉｎｇｍｅｔｈｏｄｓａｒｅｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄｂｒｉｅｆｌｙ，ａｎｄｔｈｅｎｔｈｅｃａｒｂｏｎｄｉ－ｏｘｉｄｅｓｎｏｗｊｅｔｃｌｅａｎｉｎｇａｓａｎｏｖｅｌｃｌｅａｎｉｎｇｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｆｏｒｃｌｅａｎｉｎｇｐｒｏｃｅｓｓｉｓｄｉｓｃｕｓｓｅｄ．Ｂａｓｅｄｏｎｔｈｅｓｐｅｃｉａｌｐｈｙｓｉｃａｌｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｃａｒｂｏｎｄｉｏｘｉｄｅ，ｔｈｅｍｅｃｈａｎｉｓｍｓｏｆｄｒｙｉｃｅｍｉｃｒｏ－ｐａｒｔｉｃｌｅｆｏｒｍａ－ｔｉｏｎａｓｔｈｅｃａｒｂｏｎｄｉｏｘｉｄｅｐａｓｓｅｓｔｈｒｏｕｇｈａｎｏｒｉｆｉｃｅａｒｅｄｉｓｃｕｓｓｅｄ，ａｎｄｔｈｅｃａｒｂｏｎｄｉｏｘｉｄｅｓｎｏｗｊｅｔｃｌｅａｎｉｎｇｍｅｃｈａｎｉｓｍｓｆｏｒｔｈｅｐａｒｔｉｃｌｅａｎｄｏｒｇａｎｉｃｐｏｌｌｕｔａｎｔｓａｒｅａｎａｌｙｚｅｄｂｒｉｅｆｌｙ．Ｔｈｅｎｔｈｅｓｅｌｆ－ｍａｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｃｌｅａｎｉｎｇｅｑｕｉｐｍｅｎｔｂａｓｅｄｏｎｔｈｅｃａｒｂｏｎｄｉｏｘｉｄｅｓｎｏｗｊｅｔｃｌｅａｎｉｎｇｗａｓｉｎｔｒｏ－ｄｕｃｅｄ，ａｎｄｔｈｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆｔｈｅｅｑｕｉｐｍｅｎｔａｎｄｔｈｅｆｕｎｃｔｉｏｎｏｆｅａｃｈｐａｒｔｗｅｒｅｄｉｓｃｕｓｓｅｄ．Ｂｅｓｉｄｅｓｔｈａｔ，ｔｈｅｐｒｏｃｅｓｓｆｌｏｗｏｆｃｌｅａｎｉｎｇｔｈｅｓｉｌｉｃｏｎｗａｆｅｒｗｉｔｈｔｈｅｅｑｕｉｐｍｅｎｔｗａｓｐｒｅｓｅｎｔｅｄ．Ｔｈｅｃｏｎ－ｔｒａｓｔｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｓｈｏｗｓｔｈａｔｔｈｅｅｑｕｉｐｍｅｎｔｈａｓａｖｅｒｙｇｏｏｄｅｆｆｅｃｔｏｆｓｉｌｉｃｏｎｗａｆｅｒｃｌｅａｎｉｎｇｗｈｅｎｔｈｅｇａｓｐｒｅｓｓｕｒｅｏｆｔｈｅｃａｒｂｏｎｄｉｏｘｉｄｅｓｏｕｒｃｅｉｓ８ＭＰａ，ｃａｒｂｏｎｄｉｏｘｉｄｅｗｉｔｈｔｈｅｐｕｒｉｔｙｏｆ５Ｎｉｓｕｓｅｄａｓｔｈｅｇａｓｓｏｕｒｃｅ，ａｎｄｔｈｅｐｒｅｓｓｕｒｅｐａｒａｍｅｔｅｒｂｅｆｏｒｅｔｈｅｏｒｉｆｉｃｅｉｓｓｅｔｔｏ１１ＭＰａ．Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ＲＣＡｃｌｅａｎｉｎｇ；ｓｉｌｉｃｏｎｗａｆｅｒｃｌｅａｎｉｎｇ；ＣＯ２；ｃａｒｂｏｎｄｉｏｘｉｄｅｓｎｏｗｊｅｔ；ｃｌｅａｎｉｎｇｅｑｕｉｐｍｅｎｔＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１６７１－４７７６．２０１...
