新型集成阵列四象限CMOS光电传感器的研制周�鑫,朱大中(浙江大学信息与电子工程学系,微电子技术与系统设计研究所,浙江杭州310027)��摘�要:�本文介绍了一种用于目标跟踪和坐标定位的新型集成阵列四象限CMOS光电传感器
该传感器采用上华0
6�m标准CMOS工艺制造,实现了象限传感器与后端信号处理电路的单片集成
该传感器由16�16单元有源光电管阵列,相关二次采样电路和时序控制电路组成
每个有源光电管的大小为60�m�60�m,其感光面积百分比(FillFactor)为64
通过变频二次扫描的工作模式可将传感器的感光动态范围增大为84dB
传感器的感光灵敏度为2V/lxs,工作速度根据目标照度可在2ms/帧~64ms/帧范围内调整
关键词:�阵列式象限传感器;相关二次采样;互补金属氧化物半导体光电传感器;动态范围调整;二次扫描中图分类号:�TN432���文献标识码:�A���文章编号:�0372�2112(2005)05�0928�03ResearchofaNewIntegratedArrayed4QuadrantsCMOSPhoto�ElectricSensorZHOUXin,ZHUDa�zhong(DepartmentofInformationScienceandElectronicsEngineering,ZhejiangUniversity,Hangzhou,Zhejiang310027,China)Abstract:�Anewintegratedarrayed4quadrantsCMOSphoto�electricsensorusedfortargetcoordinateobtainingandtargettrackingisdesignedandfabricatedina0
6�mstandardCMOSprocess
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