硅光电池特性测试实验VIP专享VIP免费

实验系列四、硅光电池特性测试实验图2硅光电池光通路组件功能说明：分光镜：50%透过50%反射镜，将平行光一半给照度计探头，一半给等测光器件，实验测试方便简单，照度计可实时检测出等测器件所接收的光照度。一、实验目的1、学习掌握硅光电池的工作原理2、学习掌握硅光电池的基本特性3、掌握硅光电池基本特性测试方法4、了解硅光电池的基本应用二、实验内容1、硅光电池短路电路测试实验2、硅光电池开路电压测试实验3、硅光电池光电特性测试实验4、硅光电池伏安特性测试实验5、硅光电池负载特性测试实验6、硅光电池时间响应测试实验7、硅光电池光谱特性测试实验三、实验仪器1、硅光电池综合实验仪1个5、2#迭插头对（黑色，50cm）10根2、光通路组件1只6、三相电源线1根3、光照度计1台7、实验指导书1本4、2#迭插头对（红色，50cm）10根8、20M示波器1台四、实验原理1、硅光电池的基本结构图2-1.半导体PN结在零偏、反偏、正偏下的耗尽区光通路组件光调制控制输入端①此处可拆卸待测光器件.分光镜/滤色片光电探测器余弦校正器光电流照度计探头输出端光器件输出端I=RP(2)3、硅光电池的基本特性毫安表如显示不同的电流值。即为硅光电池的短路电流特硼扩散SiO2膜N型硅PN电极电压表如显示不同的电压值。即为硅光电池的开路电压特性。2、硅光电池的工作原理硅光电池是一个大面积的光电二极管，它被设计用于把入射到它表面的光能转化为电能,因此，可用作光电探测器和光电池，被广泛用于太空和野外便携式仪器等的能源。当半导体PN结处于零偏或反偏时，在它们的结合面耗尽区存在一内电场，当有光照时，入射光子将把处于介带中的束缚电子激发到导带，激发出的电子空穴对在内电场作用下分别飘移到N型区和P型区，当在PN结两端加负载时就有一光生电流流过负载。流过PN结两端的电流可由式1确定eV、I二I(ekT-1)+1(1)sp式(1)中Is为饱和电流，V为PN结两端电压，T为绝对温度，Ip为产生的光电流。从式中可以看到，当光电池处于零偏时，V=0，流过PN结的电流I=Ip；当光电池处于反偏时(在本实验中取V=-5V),流过PN结的电流I=Ip-Is,因此，当光电池用作光电转换器时，光电池必须处于零偏或反偏状态。光电池处于零偏或反偏状态时，产生的光电流Ip与输入光功率Pi有以下关系：不同的光照的作用下，(3)光照特性光电池在不同光照度下，其光电流和光生电动势是不同的，(4)伏安特性在硅光电池输入光强度不变时，测量当负载一定的范围内变化时，光电池的输出电压及电流随负载电阻变化关系曲线称为硅光电池的伏安特性。(5)负载特性(输出特性)在内电场作用下，入射光子由于内光电效应把处于介带中的束缚电子激发到导带，而产生光伏电压，在光电池两端加一个负载就会有电流流过，当负载很小时，电流较小而电压较大；当负载很大时，电流较大而电压较小。实验时可改变负载电阻RL的值来测定硅光电池的负载特性。(5)光谱特性一般光电池的光谱响应特性表示在入射光能量保持一定的条件下,光电池所产生短路电流与入射光波长之间的关系。一般用相对响应表示，实验中硅光电池的响应范围为400~1100nm,峰值波长为800~900nm,由于实验仪器所提供的波长范围为400~650nm,因此，实验所测出的光谱响应曲线呈上升趋势五、实验步骤1、硅光电池短路电流特性测试实验装置原理框图如图2-11所示。图2-11硅光电池短路电流特性测试(1)组装好光通路组件，将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连(红为正极，黑为负极)，将光源调制单元J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。(2)“光照度调节”调到最小，连接好光照度计，直流电源调至最小，打开照度计，此时照度计的读数应为0。(3)“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态”，将拨位开关S1拨上，S2,S3,S4,S5,S6,S7均拨下。(4)按图2-11所示的电路连接电路图(5)打开电源顺时针调节照度调节旋钮,使照度值依次为下表中的光照度值,分别读出电流表读数,填入下表,关闭电源。光照度(Lx)0100200300400500600光生电流(uA)0.110.621.933.443.954.467.46)上表中所测得的电流值即为硅光电池相应光照度下的短路电流。7)实验完毕,关闭电源,拆除所有连线。2、硅光电池开路电压特性测试实验装置原...