.单项选择题(每小题2分,共20分)1•下列不属于溶液结晶的是(A)A熔融结晶B蒸发结晶C盐析结晶D反应结晶2.当溶液处于(B)时，表现为过饱和溶液瞬间析出较多晶核。A稳定区B不稳区C介稳区D亚稳区3.关于极限过饱和度，下列说法错误的是(C)A任何一种杂质的引入都会引起极限过饱和度的变化B用沃利梅尔速率方程式测定第一极限过饱和度,不需要考虑时间因素C在一般情况下，固相杂质促使极限过饱和度升高D极限过饱和度与新相产生的速率有关4.关于晶核与结晶中心,下列说法正确的是(D)A结晶中心是与不稳定液相处于平衡状态的粒子B晶核为一种能够继续长大的新相粒子C结晶中心的大小受某些因素限制D都是生长着的晶体5.下列关于晶体的生长，错误的是(B)A单核生长的特点是成核时间大大超过单层生长时间B多核生长机理适用相对过饱和度较高的体系C层生长理论认为晶体生长过程是晶面层层外推的过程D二维生长机理的适用条件为溶质浓度不小于溶解度的101%-102%6.下列有关结晶动力学的说法错误的是(C)A多温结晶的特点是速率常数不是恒定的B诱导期时间、结晶速率及其最大值、过程阶数都属于结晶过程的动力学特征参数C结晶时间是指结晶开始至某时刻t的时间段，并且包括诱导期D过饱和度增大的速度主要依赖于系统的冷却速度7.杂质对成核速率的影响,可由(A)判断。A溶解度的变化B温度的变化C压力的变化D诱导期的变化8.关于结晶分离，下列说法错误的是(B)A不同的熔化温度可作为结晶分离的依据B结晶法不可分离沸点相近的混合物C结晶法可分离热稳定性差的混合物D.结晶分离消耗能量小9.下列不属于影响结晶产品纯度因素的是(D)A母液B晶体粒度C晶簇D晶核大小10下列说法错误的是(C)A吸湿点越高，化合物的吸湿能力越差B结晶条件对于极限过饱和度的值有直接的影响C低过饱和度下的晶体生长与结构缺陷无关D晶体粒度分布与晶习改变与否有关一.单项选择题(每小题2分,共20分)1•下列不属于晶体基本特性的是(c)A自范性B各向异性c最大内能性D稳定性2.下列公式表示绝对过饱和度的是(A)A.C-CeqBC-Ceq)/CeqcTf-TDC/Ceq3.当溶液处于(C)时，表现为溶液过饱和，无加晶种等外界扰动作用下,不发生晶核的自发形成A稳定区B不稳区C介稳区D过饱和曲线4•下列方法不属于测定第一极限过饱和度的是(D)A沃利梅尔速率方程式B托弗宾和克拉斯诺娃法C求得某一浓度D什雷科夫和戈尔巴切夫法5.晶核与结晶中心的共同点是(B)A不稳定液相处于平衡状态的粒子B生长着的晶体C一种能够继续长大的新相粒子D一种能作为生成新相基础的其它固体粒子6.下列说法错误的是(B)A二维生长机理的适用条件:过饱和系数S21.01-l.02B.多核生长机理适用相对过饱和度较高的体系C低过饱和度下的晶体生长与结构缺陷有关D阶梯状生长属于层生长理论的范畴7•影响晶体生长最主要的因素为(A)A温度B压力C搅拌强度D过冷度8•下列关于诱导期的说法错误的是(B)A相变发生时的潜伏转变时期B范围比较窄,通常只有几秒C诱导期的延续时间与温度有关D诱导期的延续时间取决于过冷度9•下列关于吸湿性正确的是(A)A吸湿点越高,吸湿性越差B混合盐吸湿性具有直接的加和性C吸湿点取决于温度,吸收系数与温度无关D物质的结块性与吸湿性无关10.关于晶体粒度分布错误的是(C)A晶体粒度分布与晶体的成核速率、生长速率有关B晶体粒度分布与晶习改变与否有关C晶体粒度,不受出现结晶中心的时间影响D可通过杂质调节晶核数,进而调节粒度
