高电压技术第四版习题答案VIP免费

第一章1‐1极化种类电子式极化离子式极化偶极子极化夹层极化产生场合所需时间能量损耗无几乎没有有有产生原因束缚电子运行轨道偏移离子的相对偏移偶极子的定向排列自由电荷的移动任何电介质-15s离子式结构电介质-13s极性电介质-10～10-2s多层介质的交界面-1s～数小时矚慫润厲钐瘗睞枥庑赖。1‐4金属导体气体，液体，固体电导形式（自由电子）电子电导电导率γ很大（自由电子、正离子、负离子、杂质电导、自身离解、杂质、离子）γ很小离子电导ρ很大金属导电的原因是自由电子移动；电介质通常不导电，是在特定情况下电离、化学分解或热离解出来的带电质点移动导致。1‐6由于介质夹层极化，通常电气设备含多层介质，直流充电时由于空间电荷极化作用，电荷在介质夹层界面上堆积，初始状态时电容电荷与最终状态时不一致；接地放电时由于设备电容较大且设备的绝缘电阻也较大则放电时间常数较大（电容较大导致不同介质所带电荷量差别大，绝缘电阻大导致流过的电流小，界面上电荷的释放靠电流完成），放电速度较慢故放电时间要长达5～10min。补充：聞創沟燴鐺險爱氇谴净。图中C1代表介质的无损极化（电子式和离子式极化），C2—R2代表各种有损极化，而R3则代表电导损耗。残骛楼諍锩瀨濟溆塹籟。图1－4－2中，Rlk为泄漏电阻；Ilk为泄漏电流；Cg为介质真空和无损极化所形成的电容；Ig为流过Cg的电流；Cp为无损极化所引起的电容；Rp为无损极化所形成的等效电阻；Ip为流过Rp－Cp支路的电流，可以分为有功分量Ipr和无功分量Ipc。酽锕极額閉镇桧猪訣锥。Jg为真空和无损极化所引起的电流密度，为纯容性的；Jlk为漏导引起的电流密度，为纯阻性的；Jp为有损极化所引起的电流密度，它由无功部分Jpc和有功部分Jpr组成。容性电流Jc与总电容电流密度向量J之间的夹角为δ，称为介质损耗角。介质损耗角简称介损角δ，为电介质电流的相角领先电压相角的余角，功率因素角?的余角，其正切tgδ称为介质损耗因素，常用％表示，为总的有功电流密度与总无功电流密度之比。彈贸摄尔霁毙攬砖卤庑。第二章掌握：1.平均自由行程的概念，四种电离的基本原理，表面电离的四种形式、负离子的产生，去游离的三种形式。2.汤逊理论和流注理论的放电机理，发展过程，自持放电条件，应用范围及二者区别；巴申曲线及其含义，物理解释謀荞抟箧飆鐸怼类蒋薔。3.电晕放电的物理机理，基本过程，优缺点，消除措施。4.极性效应的概念，机理2‐2汤逊理论认为，当pd较小时，电子的碰撞电离和正离子撞击阴极造成的表面电离起着主要作用，气隙的击穿电压大体上是pd的函数。忽略了带电质点改变电场分布及光电离（1.汤逊理论没有考虑电离出来的空间电荷会使电场畸变，从而对放电过程产生影响。2.汤逊理论没有考虑光子在放电过程中的作用，即空间光电离和阴极表面光电离）。厦礴恳蹒骈時盡继價骚。流注理论认为电子碰撞电离和空间光电离是维持自持放电的主要因素，并强调了空间电荷畸变电场的作用（充分注意到了空间电荷对电场畸变的作用）。。。。。。。。茕桢广鳓鯡选块网羈泪。汤森德放电机理在较均匀电场和0.26的范围内有效。δ?S0.26cm的范围内有效。补充1：巴申（帕邢）定律的实验曲线的物理意义：假设S保持不变，当压强P(气体密度δ)增大时，电子的平均自由行程缩短了，相邻两次碰撞之间，电子积聚到足够动能的几率减小了。反之，当压强P(气体密度δ)减小时，电子在碰撞前积聚到足够动能的几率虽然增大了，但气体很稀薄，电子在走完全程中与气体分子相撞的总次数却减到很小，Ub所以会增大。同样，可假设压强P(气体密度δ)保持不变。S值增大时，欲得一定的场强，电压必须增大。当S值减到过小时，场强虽大增，但电子在走完全程中所遇到的撞击次数己减到很小。故要求外加电压增大，才能击穿。U形曲线（在两者之间，总存在一个压强P(气体密度δ)对造成撞击电离最有利，此时Ub最小。）补充2：电晕产生的物理机理是：电晕放电是极不均匀电场中的一种自持放电现象，在极不均匀电场中，在气体间隙还没有击穿之前，在电极曲率较大的附近的空间的局部的场强已经很大了，从而在这局部强场中产生强烈的电离...